Invention Grant
CN108777372B 高增益相控阵微带天线
失效 - 权利终止
- Patent Title: 高增益相控阵微带天线
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Application No.: CN201810395210.3Application Date: 2018-04-27
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Publication No.: CN108777372BPublication Date: 2021-01-12
- Inventor: 郑占旗 , 张立军 , 张小宾 , 叶甜春 , 邱昕 , 慕福奇
- Applicant: 中国科学院微电子研究所
- Applicant Address: 北京市朝阳区北土城西路3号
- Assignee: 中国科学院微电子研究所
- Current Assignee: 中国科学院微电子研究所
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区北土城西路3号
- Agency: 北京华沛德权律师事务所
- Agent 房德权
- Main IPC: H01Q21/00
- IPC: H01Q21/00 ; H01Q19/06 ; H01Q1/38 ; H01Q1/48 ; H01Q1/50
Abstract:
本发明公开了一种高增益相控阵微带天线，该天线包括微带天线阵列和罩设在微带天线阵列上方的微波透镜，利用微波透镜对电磁波的折射汇聚特性来提高天线阵列的增益，继而通过控制天线阵列中各激励端口的幅度和相位，实现波束扫描，最终实现以小规模相控阵天线达到大规模相控阵天线的高增益和波束控制能力，为基于大规模相控阵天线的5G基站以低结构复杂度、低成本方式实现提供了新的解决途径。
Public/Granted literature
- CN108777372A 高增益相控阵微带天线 Public/Granted day:2018-11-09
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