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公开(公告)号：CN111525899B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010429038.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F3/181
Abstract: 本发明涉及一种输入端漏电流补偿型的电荷灵敏前置放大器，属于核电子学技术领域，解决电路偏置电流影响问题；包括电荷灵敏环电路和补偿泄放电路；电荷灵敏环电路与探测器连接，用于对探测器的探测电流进行积分累积电荷量，并转换为与电荷量成正比例的电压信号输出到后级电路；补偿泄放电路连接在所述电荷灵敏环电路输出端与输入端之间；监测所述电荷灵敏环电路的输出电压值，当电压值超出线性放大区时，对累积的电荷量进行泄放，降低输出电压值，使输出电压值回到线性放大区；提供补偿电流，对电荷灵敏环电路输入端的漏电流进行补偿。本发明使电荷灵敏前置放大器工作在线性放大区；并输入端的漏电流进行补偿，具有提高能量分辨率的效果。
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公开(公告)号：CN114690255A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011584166.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01V5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于宇宙射线缪子的地质超前预报方法及装置，属于核探测技术领域，解决了现有地质探测方法操作复杂、探测效率和探测精度低、探测范围小，且费用高昂的问题。该方法包括，利用缪子探测装置直接探测宇宙射线缪子，探测获得缪子的第一通量信息和缪子散射第一散射角集；将缪子探测装置放置于待测地质目标内部，探测获得缪子的第二通量信息和缪子散射的第二散射角集；根据第一散射角集和第二散射角集获得待测地质目标的散射密度长度，根据第一通量信息和第二通量信息获得待测地质目标的物质密度长度；根据散射密度长度和物质密度长度对待测地质目标进行地质超前预报。该方法操作简单、探测效率和探测精度高，探测范围大且成本低。
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公开(公告)号：CN111525002B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010544828.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/118 , H01L31/028
Abstract: 本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法，包括沉积步骤；所述沉积步骤包括：以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体，采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜，使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区。因为高阶硅烷能够在较低温情况下被激活而与四氟化锗反应，所以在锗薄膜形成过程中可以采用低温工艺，而低温工艺可以避免扩散工艺和离散注入工艺中的高温对硅衬底的损伤，有利于获得较高的体寿命，提高硅漂移探测器的能量分辨率。
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公开(公告)号：CN111525002A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010544828.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/118 , H01L31/028
Abstract: 本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法，包括沉积步骤；所述沉积步骤包括：以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体，采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜，使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区。因为高阶硅烷能够在较低温情况下被激活而与四氟化锗反应，所以在锗薄膜形成过程中可以采用低温工艺，而低温工艺可以避免扩散工艺和离散注入工艺中的高温对硅衬底的损伤，有利于获得较高的体寿命，提高硅漂移探测器的能量分辨率。
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公开(公告)号：CN108777372A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810395210.3
申请日：2018-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种高增益相控阵微带天线，该天线包括微带天线阵列和罩设在微带天线阵列上方的微波透镜，利用微波透镜对电磁波的折射汇聚特性来提高天线阵列的增益，继而通过控制天线阵列中各激励端口的幅度和相位，实现波束扫描，最终实现以小规模相控阵天线达到大规模相控阵天线的高增益和波束控制能力，为基于大规模相控阵天线的5G基站以低结构复杂度、低成本方式实现提供了新的解决途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106712734A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611063683.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明提供一种自动增益控制装置。所述装置包括：衰减单元，所述衰减单元包括第一射频开关、第二射频开关和固定衰减器，还包括：检波器、控制器及比较器，其中，所述检波器输入端连接射频检波输入信号，输出端与所述比较器的同相输入端连接；所述控制器输入端连接参考电压信号，输出端与所述比较器的反相输入端连接，控制端连接衰减控制信号；所述比较器的电源正端与地连接，电源负端与第一负电压连接，输出端与所述第一射频开关及第二射频开关的控制端连接。本发明能够简化现有自动控制装置的电路结构，提高响应速度。
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公开(公告)号：CN102638227A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210120521.1
申请日：2012-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，公开了一种带有片上有源平衡-不平衡变换器的超宽带混频器电路，该电路包括片上有源balun构成的本振LO开关级、RF跨导放大级和中频IF负载级，其中RF放大级将RF电压信号经过跨导放大转换成电流信号，单端LO大信号通过片上有源balun输出两路轮流导通的周期性时变电流，使RF电流信号以LO频率在输出差分负载上交替输出实现RF频率与LO频率的相乘混频操作，混频后得到的IF信号输出在负载上。该混频器电路在超宽频带内具有直流功耗小、转换增益高、线性度高、能够抑制本振LO开关噪声、噪声系数小且无需额外LO单端转差分电路的特点。
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公开(公告)号：CN111668320B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010543729.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18 , G01T1/24
Abstract: 本说明书提供一种硅漂移探测器及其加工方法，硅漂移探测器包括：N掺杂的硅衬底和设置在硅衬底两个表面的钝化膜；钝化膜包括沉积在硅衬底上的本征非晶硅薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜。本征非晶硅薄膜能够较好地短话硅衬底表面的悬挂键，降低硅衬底的表面态；本征非晶硅具有一定的导电性能。氧化铝薄膜可以进一步地增强硅衬底表面的钝化性能；此外因为氧化铝薄膜的结构特性使其内部具有大量固定的负电荷，因此可以屏蔽外侧的氧化硅薄膜在功能射线照射下产生的正电荷，避免正电荷改变探测器表面的电场。另外，钝化膜中的各个膜层均可以在低温条件下沉积形成，无需使得硅衬底处在高温环境中，还可以避免采用高温制备工艺制作钝化膜对硅衬底的损伤。
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公开(公告)号：CN111473792B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010426647.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种脉冲星X射线探测装置，属于辐射探测仪器仪表系统领域，解决脉冲星X射线探测的问题；装置包括用于探测脉冲星X射线的SDD单元；SDD单元包括SDD晶圆和前置放大器；SDD晶圆用于探测脉冲星X射线输出探测电流；SDD晶圆的入射窗口电极采用结深浅的PN结；前置放大器与SDD晶圆的阳极连接，用于对探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；并对SDD晶圆的漏电流进行补偿；本发明的探测装置还可基于单个SDD进行拼装组成阵列结构的大探测面积探测器。因此，本发明的脉冲星X射线探测装置，具有高能量分辨率和高时间分辨率的典型特征，探测效率高，性能稳定，系统可靠，能够适用于航天应用环境。
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