发明公开
- 专利标题: 制造具有改进均匀性的化学机械抛光层的方法
- 专利标题(英): Methods of making chemical mechanical polishing layers having improved uniformity
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申请号: CN201810392321.9申请日: 2018-04-27
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公开(公告)号: CN108789186A公开(公告)日: 2018-11-13
- 发明人: B·钱 , G·C·雅各布 , A·旺克 , D·士德那 , K-A·K·雷迪 , D·M·奥尔登 , M·W·格鲁特
- 申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
- 申请人地址: 美国密歇根州;
- 专利权人: 陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
- 当前专利权人: 陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国密歇根州;
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈哲锋; 胡嘉倩
- 优先权: 15/583037 20170501 US
- 主分类号: B24D18/00
- IPC分类号: B24D18/00
摘要:
本发明提供了制造用于抛光衬底如半导体晶片的化学机械抛光(CMP抛光)层的方法,包含提供具有聚合物壳的多个充液微元件的组合物;通过离心空气分级对所述组合物分级以除去细粒和粗颗粒并产生密度为800克/升到1500克/升的充液微元件;以及,通过以下方式形成所述CMP抛光层:(i)将所述分级的充液微元件通过加热转化成充气微元件,然后将它们与液态聚合物基质形成材料混合并浇注或模制所得混合物以形成聚合物垫基质或(ii)将所述分级的充液微元件直接与所述液体聚合物基质形成材料组合,并浇注或模制。
公开/授权文献
- CN108789186B 制造具有改进均匀性的化学机械抛光层的方法 公开/授权日:2023-06-30