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公开(公告)号：CN115139219B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210341643.7
申请日：2022-03-29
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人： M·T·伊斯兰
IPC分类号： B24B37/24
摘要： 一种具有抛光部分的抛光垫，所述抛光部分包含聚合物基质和提高速率的层状颗粒，所述层状颗粒包含第III‑A族或第IV‑A族金属的磷酸盐或砷酸盐，所述抛光垫可有效用于化学机械抛光，尤其是当使用包含在浆料条件下具有正电荷的颗粒的浆料时。
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公开(公告)号：CN118438341A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410128825.5
申请日：2024-01-30
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/26
摘要： 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包括具有顶部抛光表面的多孔抛光层；位于顶部抛光表面对面的子垫，该子垫具有底部子垫表面；以及窗口，用于将信号波通过所述抛光垫传输到待抛光的衬底并通过该抛光垫返回以进行端点检测，该窗口具有顶部窗口表面、底部窗口表面和侧边缘，其中该顶部窗口表面从该顶部抛光表面凹陷，该底部窗口表面与该底部子垫表面基本上共面，该窗口从该底部子垫表面延伸到该顶部窗口表面，并且侧边缘与抛光材料和子垫材料接触，并且其中该窗口是无孔的。
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公开(公告)号：CN113829232B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110690687.6
申请日：2021-06-22
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/013
摘要： 一种用于化学机械抛光的抛光垫包括：抛光部分，所述抛光部分具有顶部抛光表面并且包含抛光材料；开口，所述开口穿过所述抛光垫；以及透明窗口，所述透明窗口在所述抛光垫中的所述开口内，所述透明窗口被固定到所述抛光垫、并且对磁信号和光学信号中的至少一种是透明的，所述透明窗口具有厚度和顶部表面，所述顶部表面具有被相互连接的凹陷分开的多个元件，以在所述顶部表面中提供包括凹陷的图案，以便改善抛光期间向抛光垫中的空腔内的挠曲。
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公开(公告)号：CN118238064A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311767937.7
申请日：2023-12-21
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
摘要： 公开了一种适合用于化学机械抛光的抛光垫，其包括：抛光层，该抛光层具有带有凹槽图案的顶表面，该凹槽图案包括具有第一凹槽截面的多个第一凹槽，该多个第一凹槽限定了相邻第一凹槽之间的多个区域；以及具有第二凹槽截面的多个第二凹槽，该多个第二凹槽在该相邻第一凹槽之间的多个区域的一部分中，其中该第二凹槽截面小于该第一凹槽截面的50％，其中该抛光层的特征进一步在于具有至少1.05克/立方厘米的比重。
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公开(公告)号：CN115232563B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210402855.1
申请日：2022-04-18
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
摘要： 化学机械抛光组合物包含改性的硅烷化胶体二氧化硅颗粒，其是具有环氧部分的硅烷化胶体二氧化硅颗粒与胺的氮的反应产物，以形成稳定且可调的改性的硅烷化胶体二氧化硅颗粒。所述改性的硅烷化胶体二氧化硅颗粒可以在各种衬底的化学机械抛光中用作磨料，以对金属例如铜、Ta和TaN和电介质例如TEOS和低K薄膜进行抛光。
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公开(公告)号：CN117207058A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310626337.2
申请日：2023-05-30
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人： 邱南荣
摘要： 公开了一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包含：抛光层，所述抛光层包含聚合物基质，所述聚合物基质是异氰酸酯封端的低聚物或聚合物与包含单芳香族多胺固化剂和具有两个或更多个芳香族环的多胺固化剂的固化剂共混物的反应产物，其中所述聚合物基质具有硬链段域和软链段域，其中在所述聚合物基质中存在孔隙，此类孔隙是由预膨胀的流体填充的聚合物微球膨胀形成的，此种膨胀在所述异氰酸酯封端的低聚物或聚合物与所述单芳基胺固化剂和所述多芳基胺固化剂反应的期间发生，其中所述孔隙具有单峰尺寸分布，并且其中所述抛光层具有小于0.70g/cm3的比重。
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公开(公告)号：CN117161963A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310621826.9
申请日：2023-05-30
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人： 邱南荣
摘要： 公开了一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包含：抛光层，所述抛光层包含聚合物基质，所述聚合物基质是异氰酸酯封端的低聚物或聚合物与包含两种或更多种多胺固化剂的固化剂共混物的反应产物，其中在所述聚合物基质中存在孔隙，此类孔隙是由预膨胀的流体填充的聚合物微球膨胀形成的，此种膨胀在所述异氰酸酯封端的低聚物或聚合物与所述两种或更多种固化剂反应的期间发生，其中所述抛光层由以下中的一个或多个表征：104℃下的粘性模量(G”)与150℃下的剪切损耗模量(G”)的比率为至少5:1；和所述抛光层的比重小于或等于所述异氰酸酯封端的低聚物或聚合物、所述固化剂共混物和所述预膨胀的流体填充的聚合物微球的计算比重的95％。
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公开(公告)号：CN108789186B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810392321.9
申请日：2018-04-27
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24D18/00
摘要： 本发明提供了制造用于抛光衬底如半导体晶片的化学机械抛光(CMP抛光)层的方法，包含提供具有聚合物壳的多个充液微元件的组合物；通过离心空气分级对所述组合物分级以除去细粒和粗颗粒并产生密度为800克/升到1500克/升的充液微元件；以及，通过以下方式形成所述CMP抛光层：(i)将所述分级的充液微元件通过加热转化成充气微元件，然后将它们与液态聚合物基质形成材料混合并浇注或模制所得混合物以形成聚合物垫基质或(ii)将所述分级的充液微元件直接与所述液体聚合物基质形成材料组合，并浇注或模制。
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公开(公告)号：CN115958545A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211243575.7
申请日：2022-10-11
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 , 杜邦电子公司
发明人： 钱百年 , R·M·布洛姆奎斯特 , L·M·艾尔-赛义德 , M·E·米尔斯 , K-A·雷迪 , B·K·泰勒 , S·夏
摘要： 本发明涉及一种具有抛光层的化学机械抛光垫。该抛光层含有挤出片材。该挤出片材通过挤出混配的可光聚合组合物然后暴露于UV光来制备。
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