化学机械抛光方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105215837B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201510329335.2

    申请日:2015-06-15

    IPC分类号: B24B37/04 B24B37/24 H01L21/02

    摘要: 本发明提供一种化学机械抛光衬底的方法,其包含:提供具有压板的抛光机;提供衬底,其中所述衬底具有暴露的氧化硅表面;提供化学机械抛光垫,其包含:聚氨基甲酸酯抛光层;其中所述聚氨基甲酸酯抛光层组合物展现≥0.5mg(KOH)/g的酸值;提供研磨剂浆料,其中所述研磨剂浆料包含水和二氧化铈研磨剂;在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处形成动态接触;以及将所述研磨剂浆料分配到所述化学机械抛光垫的所述聚氨基甲酸酯抛光层的所述抛光表面上位于或接近所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面;且抛光所述衬底。

    聚氨酯抛光垫
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105382680A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510512498.4

    申请日:2015-08-19

    IPC分类号: B24B37/20 B24B37/24

    摘要: 抛光垫用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者。所述抛光垫包括由H12MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯-封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料。所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量%到9.25重量%未反应的NCO,并且NH2与NCO化学计量比为102%到109%。所述异氰酸酯封端反应产物用4,4′-亚甲基双(2-氯苯胺)固化剂固化。如在无孔状态下所测量,所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa,并且在40℃下用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa。所述抛光垫具有20体积%到50体积%的孔隙率和0.60g/cm3到0.95g/cm3的密度。

    聚氨酯抛光垫
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105382680B

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201510512498.4

    申请日:2015-08-19

    IPC分类号: B24B37/20 B24B37/24

    摘要: 抛光垫用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者。所述抛光垫包括由H12MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯‑封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料。所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量%到9.25重量%未反应的NCO,并且NH2与NCO化学计量比为102%到109%。所述异氰酸酯封端反应产物用4,4′‑亚甲基双(2‑氯苯胺)固化剂固化。如在无孔状态下所测量,所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa,并且在40℃下用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa。所述抛光垫具有20体积%到50体积%的孔隙率和0.60g/cm3到0.95g/cm3的密度。