发明公开
CN108807190A 半导体结构及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 半导体结构及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor structure and method of fabricating the same
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申请号： CN201810834043.8申请日： 2014-02-21
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公开(公告)号： CN108807190A公开(公告)日： 2018-11-13
- 发明人: 林少雄 , 周辉星
- 申请人： 先进封装技术私人有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡
- 专利权人： 先进封装技术私人有限公司
- 当前专利权人： 先进封装技术私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡
- 代理机构： 北京世峰知识产权代理有限公司
- 代理商 卓霖; 许向彤
- 优先权： 61/767,289 20130221 US
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48 ; H01L21/56 ; H01L23/00 ; H01L23/16 ; H01L23/495 ; H01L23/498 ; H01L23/544
摘要：
本发明有关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括层组件、一个或多个支撑组件及一个或多个锚合组件，支撑组件配置在层组件的第一表面上，锚合组件配置在层组件内且连接至一个或多个支撑组件，以将一个或多个支撑组件耦接至层组件，进而强化层组件。
IPC分类:
