- 专利标题： 半导体结构、半导体装置的制造方法以及设计布局的方法
-
申请号： CN201710834344.6申请日： 2017-09-15
-
公开(公告)号： CN108807317B公开(公告)日： 2021-07-09
- 发明人: 葛贝夫·辛格 , 李智铭 , 林其谚 , 郭文昌 , 刘洲宗
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 62/490,326 20170426 US 15/642,837 20170706 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L21/60
摘要：
一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。
公开/授权文献
- CN108807317A 半导体装置的制造方法 公开/授权日：2018-11-13
IPC分类:
