公开(公告)号：CN108807317A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/061 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308

摘要： 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。

公开(公告)号：CN108807317B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。

公开(公告)号：CN109786371B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811066985.2

申请日：2018-09-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  蔡舜麒 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  罗国鸿

IPC分类号： H01L27/02 ,  H10B10/00

摘要： 一集成电路结构包含半导体基材、主动区域、栅电极以及毗连接触。此主动区域朝向第一方向，且具有至少一个齿状部位，此齿状部位在半导体基材中沿着第二方向延伸。此栅电极覆盖在主动区域上，并沿着第二方向延伸。毗连接触具有位于栅电极上方的第一部位及位于主动区域上方的第二部位。毗连接触的第二部位的一部分着陆于齿状部位上。

公开(公告)号：CN113053903A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011000989.8

申请日：2020-09-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  庄坤苍 ,  陈信吉

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

摘要： 一种半导体装置和其制造方法以及多次可编程的记忆体装置，半导体装置包括基板、栅极氧化物层其形成在基板上、栅极其形成在栅极氧化物层上、以及间隔物其形成在相邻于栅极和在基板上方。间隔物包括填充空气的空隙以预防电荷泄露至栅极或从栅极泄漏，从而减少数据损失并提供更好的记忆体保持。电荷泄漏的减少归因于减小的寄生电容、边缘电容、和交叠电容，这是由于空气相对于其他间隔物材料有低的介电常数所致。间隔物可以包括多层，诸如多个氧化物和氮化物层。在一些实施方式中，半导体装置是多次可编程的(MTP)记忆体装置。

公开(公告)号：CN109786371A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811066985.2

申请日：2018-09-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  蔡舜麒 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  罗国鸿

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238

摘要： 一集成电路结构包含半导体基材、主动区域、栅电极以及毗连接触。此主动区域朝向第一方向，且具有至少一个齿状部位，此齿状部位在半导体基材中沿着第二方向延伸。此栅电极覆盖在主动区域上，并沿着第二方向延伸。毗连接触具有位于栅电极上方的第一部位及位于主动区域上方的第二部位。毗连接触的第二部位的一部分着陆于齿状部位上。