- 专利标题: SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法
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申请号: CN201710338860.X申请日: 2017-05-15
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公开(公告)号: CN108875105B公开(公告)日: 2022-02-22
- 发明人: 陈静 , 吕凯 , 罗杰馨 , 王曦
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 上海泰博知识产权代理有限公司
- 代理商 钱文斌
- 主分类号: G06F30/39
- IPC分类号: G06F30/39
摘要:
本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法,包括以下步骤:1)依据YGG提取栅电阻Rg及栅电容Cgg;2)依据YGS提取栅源电容Cgs,并依据YGD提取栅漏电容Cgd;3)依据YGS、Rg、Cgs及Cgd提取源电阻Rs,并依据YGD、Rg、Cgs及Cgd提取漏电阻Rd;4)依据YBS提取源体二极管结电容Csb,并依据YBD提取漏体二极管结电容Cdb;5)依据YBB提取体电阻Rb;6)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数提取衬底电阻;7)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及ZBB提取衬底电容;8)依据ZCdbox提取漏区埋氧层电容;9)依据源区埋氧层与衬底的Y参数及YSS提取源区埋氧层电容。本发明通可以利用Y参数或Z参数直接对所述SOI晶体管四端口网络射频模型参数进行提取。
公开/授权文献
- CN108875105A SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法 公开/授权日:2018-11-23