发明授权
- 专利标题: 外设式多芯片封装结构及其制作方法
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申请号: CN201810911135.1申请日: 2018-08-10
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公开(公告)号: CN109065531B公开(公告)日: 2024-08-02
- 发明人: 付伟
- 申请人: 浙江熔城半导体有限公司
- 申请人地址: 浙江省湖州市德清县阜溪街道长虹东街926号(莫干山国家高新区)
- 专利权人: 浙江熔城半导体有限公司
- 当前专利权人: 浙江熔城半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市德清县阜溪街道长虹东街926号(莫干山国家高新区)
- 代理机构: 苏州威世朋知识产权代理事务所
- 代理商 沈晓敏
- 主分类号: H01L25/16
- IPC分类号: H01L25/16 ; H01L23/538
摘要:
本发明揭示了一种外设式多芯片封装结构及其制作方法,多芯片封装结构包括:封装基板,具有若干通孔,且基板下表面的一侧具有若干外部引脚;功能芯片,设置于封装基板的上方,功能芯片的第一下表面具有若干第一电极;滤波器芯片,设置于封装基板的上方,滤波器芯片的第二下表面具有若干第二电极;若干互连结构,用于经由若干通孔而导通若干第一电极、若干第二电极及若干外部引脚。本发明利用封装技术将两个不同的芯片封装于同一封装基板,可以实现多芯片的高度集成,提高封装基板的利用率,进而实现多芯片封装结构的小型化,另外,本发明的两个芯片均是平面集成,不需要进行芯片的预埋操作,工艺简单。
公开/授权文献
- CN109065531A 外设式多芯片封装结构及其制作方法 公开/授权日:2018-12-21
IPC分类: