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公开(公告)号：CN109037425B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201810909370.5
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有延伸双围堰及金属层的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有若干外部引脚，封装基板具有若干通孔；滤波器芯片，芯片下表面与基板上表面面对面设置，芯片下表面具有若干电极；若干金属层结构，穿过若干通孔并导通若干电极及若干外部引脚；围堰，包括位于若干通孔内侧的第一围堰及位于若干通孔外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109004080B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201810911204.9
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面具有电极；互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰包括位于通孔内侧的第一围堰及位于通孔外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，焊锡结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109037429B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201810911184.5
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有双围堰及焊锡的封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有外部引脚；滤波器芯片，具有若干电极；围堰，包括位于电极内侧的第一围堰及位于电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，焊锡结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109004081B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201810910184.3
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有延伸双围堰、金属柱及焊锡的封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面具有若干电极；围堰；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰包括位于通孔内侧的第一围堰及位于通孔外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，金属柱结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚，焊锡用于导通金属柱结构及电镀层结构。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109004083B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201810929729.5
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有单围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面与基板上表面面对面设置，芯片下表面具有电极；互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰，与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰位于若干通孔的内侧，互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，焊锡结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109037428B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201810911155.9
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有双围堰的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，封装基板的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面与基板上表面面对面设置，芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰，包括位于若干电极内侧的第一围堰及位于若干电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109087912B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810911145.5
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/538 , H01L21/52
摘要： 本发明揭示了一种带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，封装基板的一侧具有若干外部引脚，且封装基板具有腔室；功能芯片，设置于腔室内，功能芯片具有若干第一电极；滤波器芯片，设置于封装基板的上方，滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，第二下表面与基板上表面面对面设置，且滤波器芯片具有若干第二电极；围堰，与第二下表面及基板上表面配合而围设形成空腔；若干互连结构，用于导通若干第一电极、若干第二电极及若干外部引脚。本发明利用封装技术将两个不同的芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成，提高封装基板的利用率，进而实现封装结构的小型化。
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公开(公告)号：CN109037426B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201810910208.5
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有双围堰及金属层的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有若干外部引脚，封装基板具有若干通孔；滤波器芯片，芯片下表面与基板上表面面对面设置，芯片下表面具有若干电极；若干金属层结构，穿过若干通孔并导通若干电极及若干外部引脚；围堰，包括位于若干电极的内侧的第一围堰及位于若干电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109103173B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810909243.5
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/50
摘要： 本发明揭示了一种滤波器芯片内嵌且引脚上置的封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，其具有腔室，且基板上表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，设置于腔室内，第一上表面与基板上表面位于同侧，且第一上表面具有第一电极；功能芯片，设置于封装基板的上方，第二下表面与基板上表面面对面设置，且第二上表面具有第二电极；若干互连结构，用于导通第一电极、第二电极及外部引脚。本发明利用封装技术将两个芯片封装于同一封装基板，实现多芯片的高度集成；滤波器芯片及功能芯片呈上下分布，位于封装基板上方的功能芯片并不占用封装基板的空间，提高基板利用率，简化互连结构；滤波器芯片内嵌设置于腔室中，使得封装结构更加轻薄。
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公开(公告)号：CN108711570B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201810910116.7
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/538 , H01L21/52 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本发明揭示了一种集成芯片封装结构的多芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，其一侧具有若干外部引脚；功能芯片，设置于封装基板，功能芯片具有若干第一电极；芯片封装结构，设置于封装基板，芯片封装结构具有第一互连结构；若干第二互连结构，用于导通若干第一电极、第一互连结构及若干外部引脚。本发明利用封装技术将芯片封装结构及功能芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成，提高封装基板的利用率，进而实现封装结构的小型化，另外，芯片封装结构可以是现成的切割好的封装芯片，可以实现产业上的对接，而且，将封装完成的芯片直接与未封装的芯片集成，可以实现封装工艺的多样化。
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