发明授权
- 专利标题: 以毛细管冷凝测量半导体结构
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申请号: CN201780027228.1申请日: 2017-04-28
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公开(公告)号: CN109075100B公开(公告)日: 2020-06-30
- 发明人: S·克里许南
- 申请人: 科磊股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 62/330,751 2016.05.02 US
- 国际申请: PCT/US2017/030267 2017.04.28
- 国际公布: WO2017/192406 EN 2017.11.09
- 进入国家日期: 2018-11-01
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; H01L21/67
摘要:
本文提出用于执行通过毛细管冷凝过程而填充的几何结构的光学测量的方法及系统。当使用包含经控制量的填充材料的净化气体的流动来处理所述被测量结构时,执行测量。所述填充材料的部分冷凝到所述被测量结构上,且填充所述结构特征中的开口、结构特征之间的空间、小体积(例如,凹口、沟槽、狭缝、接触孔等)。基于所述待填充的最大特征大小来调整所述气体流动中的汽化材料的饱和度。在一些实例中,当结构未被填充时及当通过毛细管冷凝来填充所述结构时,收集测量数据,例如光谱数据或图像数据。使所述经收集数据组合以改进测量性能。
公开/授权文献
- CN109075100A 以毛细管冷凝测量半导体结构 公开/授权日:2018-12-21
IPC分类: