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公开(公告)号：CN116997790B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202280017233.5
申请日：2022-04-21
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： M·门格尔
IPC: G01N21/88 , G01J9/00 , G03F1/84 , G01J9/02 , G01B11/24 , G01B9/02 , G01N21/33 , G01N21/956 , G01N21/95
Abstract: 公开一种用于在检验系统内的原位波前检测的方法。所述方法包含用光源产生光，且将所述光引导到安置在掩模载台上的载台级反射掩模光栅结构。所述方法包含将从所述载台级反射结构反射的光引导到安置在检测器的平面中的检测器级掩模结构，且然后用光学元件收集从所述检测器级掩模结构反射的光。所述方法包含在所述检测器上形成光瞳图像，且用所述掩模载台使所述载台级反射掩模跨所述载台级反射掩模光栅结构的光栅周期横向偏移，以提供用于横向剪切干涉测量的相位重构。所述方法包含将从所述光学元件反射的光选择性地照射到所述检测器的所述一或多个传感器上。
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公开(公告)号：CN113302473B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080009572.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种用于散射测量建模的方法及系统。一种计量系统可接收用于基于波长范围内的来自散射测量工具的光谱散射测量数据的回归来测量包含以选定图案分布的特征的目标的一或多个选定属性的模型。所述计量系统可进一步产生所述模型的加权函数来使与其中预测由所述散射测量工具在测量所述目标时捕获的光包含非所要衍射级的波长相关联的所述光谱散射测量数据的部分去加重。所述计量系统可进一步指导所述光谱散射测量工具产生包含以所述选定图案分布的制造特征的一或多个测量目标的散射测量数据。所述计量系统可进一步基于所述一或多个测量目标的所述散射测量数据回归到由所述加权函数加权的所述模型来测量所述一或多个测量目标的所述选定属性。
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公开(公告)号：CN119384678A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380045340.3
申请日：2023-06-27
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于检测样品上的缺陷的方法及系统。一个系统执行双重检测，其中与测试图像进行比较的参考图像中的至少一者是从对应于所述测试图像的多个图像产生的经计算参考图像。另一参考图像可以是或可以不是从所述多个图像中的多于一者计算的。此经计算参考图像也可以是从多中值图像产生的基于中值的经计算参考，所述多中值图像是从由检验子系统针对样品产生的图像的作业中图像的不同子集产生的。此系统也可基于色彩将针对样品上的裸片行的图像分组到不同作业中，使得不同作业具有不同色彩值范围。此分组也可经执行使得所述作业中的每一者包含大于预定最小作业大小的一定数目的图像。
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公开(公告)号：CN119366266A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380041879.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H05G2/00
Abstract: 公开一种流动高压液体或超临界流体中的脉冲辅助LSP宽带光源。所述光源包含用于容纳高压液体或超临界流体的流体容纳结构。所述光源包含初级激光泵源及高重复脉冲辅助激光光源，其中所述初级激光泵源经配置以将初级泵束引导到所述流体的等离子体形成区域中。初级光束及脉冲辅助光束经配置以在所述流体容纳结构中于所述流体的所述等离子体形成区域内维持等离子体。集光器元件经配置以收集从所述等离子体发射的宽带光以用于下游应用中。
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公开(公告)号：CN119343594A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380043897.3
申请日：2023-10-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本文中描述用于基于个别工具生产力度量及群生产力度量两者来评估个别半导体计量工具生产力的方法及系统。与每一个别工具相关联的生产力度量与一群工具相关联的生产力度量组合以快速且较少误报地识别问题工具。特定来说，在生产力由低频率事件驱动的情形中，明显更快地获得工具生产力结果。估计指示测量工具群中的个别工具的排名的置信度的一或多个准确度度量的值。另外，基于与测量工具群的个别工具相关联的未来故障事件的预测概率分布与故障事件的实际观察分布之间的差来预测故障事件的概率。
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公开(公告)号：CN119325559A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380042876.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/88 , G01N21/93 , G06T7/00 , G06N3/08 , G06T3/4046
Abstract: 提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含：通过将关于样品上的对准目标的设计信息输入到深度学习模型中来将所述设计信息变换为所述对准目标的经预测图像；及将所述经预测图像对准到由成像子系统产生的所述样品上的所述对准目标的图像。所述方法还包含：基于所述对准的结果来确定所述经预测图像与由所述成像子系统产生的所述图像之间的偏移；及将所述经确定偏移存储为在使用所述成像子系统对所述样品执行的过程中使用的对准到设计偏移。
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公开(公告)号：CN119301438A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043931.7
申请日：2023-10-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本文中提出基于归因于测量目标的电性质、光学性质或两者的扰动的测量信号值的改变及所述性质的估计改变来测量特性化所述测量目标的结构参数的方法及系统。通过诱发被测量的测量目标内的电场的改变来扰动所述测量目标的所述电及光学性质。在优选实施例中，通过将经调制照明光束引导于被测量的所述测量目标来诱发所述电场的所述改变。将所述测量信号值的所述改变及所述测量目标的所述电性质、光学性质或两者的估计改变两者量化且作为输入提供到测量模型。以此方式，所述测量是基于测量信号相对于电性质、光学性质或两者的微分。
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公开(公告)号：CN119278374A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380042235.4
申请日：2023-10-17
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/95 , G01N21/956 , G01N21/88 , G01N21/05 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供用于检验样品的方法及系统。一种系统包含检验子系统，其经配置用于将光引导到所述样品上的区域且用于响应于来自所述样品上的所述区域的光而产生输出。所述系统还包含第一气流子系统，其经配置用于用与围绕所述样品上的所述区域的第一局部体积中的气体相比散射较少的所述光的第一介质替换所述气体。另外，所述系统包含第二气流子系统，其经配置用于用不同于所述第一介质的第二介质替换接近所述第一局部体积的第二局部体积中的所述气体。所述系统进一步包含计算机子系统，其经配置用于基于所述输出检测所述样品上的异常。
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公开(公告)号：CN112485971B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202011278298.4
申请日：2016-04-19
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于倾斜装置设计的计量目标设计。本发明提供用于测量倾斜装置设计的计量方法、模块及目标。所述方法相对于目标候选者与装置设计之间的图案放置误差PPE的泽尼克(Zernike)灵敏度的关系分析并优化目标设计。蒙特卡罗(Monte Carlo)方法可经应用以增强所述选定目标候选者对透镜像差中及/或装置设计中的变化的稳健性。此外，考虑相对于所述泽尼克灵敏度审慎地修改目标参数以改进计量测量质量且减小不精确性。
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公开(公告)号：CN118837389A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411097198.X
申请日：2018-04-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N23/201 , G01N23/207
Abstract: 本文中描述用于通过具有相对小工具占用面积的透射小角度x射线散射测量TSAXS系统表征半导体装置的尺寸及材料性质的方法及系统。本文中描述的所述方法及系统实现适合用于具有减小的光学路径长度的半导体结构的计量的Q空间分辨率。一般来说，所述x射线光束针对相对小目标经聚焦更接近晶片表面且针对相对大目标经聚焦更接近检测器。在一些实施例中，采用具有小点扩散函数PSF的高分辨率检测器以缓解对可实现Q分辨率的检测器PSF限制。在一些实施例中，所述检测器通过确定由光子转换事件刺激的电子云的质心而以子像素准确度定位入射光子。在一些实施例中，除了入射位置之外，所述检测器还分辨一或多个x射线光子能量。
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