- 专利标题： 低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法
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申请号： CN201810811310.X申请日： 2018-07-23
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公开(公告)号： CN109192750B公开(公告)日： 2021-06-22
- 发明人: 陆旭兵 , 何惠欣 , 何宛兒
- 申请人： 华南师范大学
- 申请人地址： 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
- 专利权人： 华南师范大学
- 当前专利权人： 华南师范大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
- 代理机构： 广州骏思知识产权代理有限公司
- 代理商 吴静芝
- 主分类号： H01L27/28
- IPC分类号： H01L27/28
摘要：
本发明提供一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法，该存储器件包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极，所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。本发明利用聚α‑甲基苯乙烯有机聚合物作为存储层，由于聚α‑甲基苯乙烯具有很高的表面光滑度和良好的存储效应，能够为有源层生长提供良好的基础，从而提高有源层的载流子迁移率，有效提高存储器件的保持和抗疲劳性能，实现低压高速擦写。
公开/授权文献
- CN109192750A 低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法 公开/授权日：2019-01-11
IPC分类:
