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公开(公告)号：CN113540254B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110639473.6
申请日：2021-06-08
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/51 , H01L27/12 , H01L21/34
摘要： 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极，所述介电层的厚度为10～100nm，锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比为100‑x:x，其中，x＝0～10；半导体薄膜层的厚度为1～50nm，金属源漏电极的厚度为10～50nm。采用本发明全溶液法制备薄膜晶体管的制备工艺简单，设备要求简单，操作条件温和、且价格低廉，从而能够更有效更简单更高效率的实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN108565339B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201810027437.2
申请日：2018-01-11
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明涉及一种含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池，所述含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池包括透明导电衬底、电子传导层、钙钛矿层、空穴传导层和金属电极，所述钙钛矿层包括含有聚乙二醇侧链的富勒烯衍生物，所述含有聚乙二醇侧链的富勒烯衍生物是由PCBM与聚乙二醇反应得到。本发明还涉及所述含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明所述的含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池具有钙钛矿层形貌可调控、效率高、制备简单的优点。
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公开(公告)号：CN109192750B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810811310.X
申请日：2018-07-23
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L27/28
摘要： 本发明提供一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法，该存储器件包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极，所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。本发明利用聚α‑甲基苯乙烯有机聚合物作为存储层，由于聚α‑甲基苯乙烯具有很高的表面光滑度和良好的存储效应，能够为有源层生长提供良好的基础，从而提高有源层的载流子迁移率，有效提高存储器件的保持和抗疲劳性能，实现低压高速擦写。
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公开(公告)号：CN111962154A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010631614.5
申请日：2020-07-03
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明涉及一种高介电常数高Q值的AlN介质薄膜及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：S1：加热蓝宝石衬底，并在高纯氮气生长空间、以1.2～1.6J/cm2的激光能量密度，在所述蓝宝石衬底上采用脉冲激光溅射AlN靶材；S2：待AlN薄膜在所述蓝宝石衬底上沉积完成，原位退火后，再冷却至室温，得到单晶AlN介质薄膜。本发明采用高能量激光束刻蚀AlN靶材，能够提高单晶AlN介质薄膜表面原子迁移率，有利于改善单晶AlN介质薄膜的生长质量，形成单一取向，且具备高介电常数、高Q值的单晶AlN介质薄膜。本发明所述单晶AlN介质薄膜的制备方法过程简单，易操作，容易实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN111834230A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010571464.3
申请日：2020-06-22
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L21/473 , H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用，为研制高介电常数、低漏电流的介电层薄膜，本发明提供了一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，即将锆源和铈源溶于有机溶剂中，预先制备锆铈氧化物前驱体溶液，最后涂覆在衬底上进行热处理制得，所制备的铈掺杂的氧化锆薄膜表面平整、致密，电学性能好，应用于制备薄膜晶体管领域，具备较好的击穿特性，更低的漏电流密度。同时，本发明的铈掺杂的氧化锆薄膜晶体管结构简单，制备工艺简便,易于推广。
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公开(公告)号：CN107146852B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201710220073.5
申请日：2017-04-06
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明涉及一种通过引入铵盐(硫氰铵)在潮湿空气中制备高效率钙钛矿太阳能电池的方法，其包括以下步骤：S1：制备TiO2胶体；S2：制备TiO2致密层；S3：配制Pb(SCN)2的甲基亚砜溶液，在该溶液中添加硫氰铵；S4：在步骤S2制得的样品上旋涂步骤S3得到的溶液，在85‑95℃热处理旋涂的膜；S5：S4膜上旋涂碘甲胺的异丙醇溶液；重复旋涂4～8次；热处理旋涂的膜即可得到钙钛矿层；S6：在步骤S5制得的钙钛矿层上旋涂空穴传导层；S7：在步骤S6制得的样品上蒸镀银电极，得到钙钛矿太阳能电池。本发明制备工艺简单，能有效提高电池的光电转换效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN107017345B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710092981.0
申请日：2017-02-21
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明涉及一种用于制备低漏电高介电绝缘材料的前驱体溶液的制备方法，包括以下步骤：1)配制摩尔浓度为0.05～0.1mol/L的乙酰丙酮金属盐原溶液；2)掺杂O2：在步骤1)制得的原溶液中通入1～60min O2；3)制备前驱体溶液：密封步骤2)得到的溶液，并在水浴加热条件下搅拌6～24h；4)后处理：将反应完全的前驱体溶液通过滤嘴过滤。相比于现有技术，采用本发明所述的前驱体溶液的制备方法制得的前驱体溶液可生成更均匀的薄膜；在制备多层薄膜时，该前驱体溶液所制备的绝缘层薄膜更加耐压，在多层的薄膜旋涂中可以更加的均匀致密，更加适合于大面积绝缘层的工业生产。本发明还提供一种采用所述前驱体溶液制得的低漏电高介电绝缘材料及其制备方法。
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公开(公告)号：CN105185859B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510330234.7
申请日：2015-06-15
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种制备ZnO纳米纤维/Cu2O(电化学沉积法制得)无机太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在ITO导电玻璃上采用旋涂法制备ZnO膜后，采用电纺丝法制备ZnO纳米纤维网络；然后在ZnO纳米纤维网络上采用电化学沉积的方法制备Cu2O，在手套箱中热处理活性层后，热蒸镀制备Ag电极；热处理蒸镀电极后的活性层，得到ZnO纳米纤维/Cu2O无机太阳能电池成品。本发明通过ZnO纳米纤维的引入，增大了ZnO与Cu2O间的界面，促进光生电荷的传导，有利于降低电荷复合，提高电池效率；且本发明的制备方法生产工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN105428542B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510903865.3
申请日：2015-12-09
申请人： 华南师范大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种采用碘化甲铵修饰电子传导层与钙钛矿层间界面来提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率的高效率钙钛矿电池的制备方法。该方法包括以下步骤：首先在FTO导电玻璃上采用旋涂法制备TiO2致密膜，其次采用旋涂法在TiO2致密膜上旋涂制备TiO2多孔膜，接着在TiO2多孔膜上旋涂碘化甲铵溶液，然后在修饰后的TiO2多孔膜上制备钙钛矿层，在钙钛矿层上旋涂空穴传导层后，热蒸镀制备银电极，即得到钙钛矿电池。本发明采用引入碘化甲铵修饰电子传导层与钙钛矿层间的界面，来提高钙钛矿层的质量，从而制备高效率的钙钛矿电池，其生产工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN107195781A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710372261.X
申请日：2017-05-24
申请人： 华南师范大学
CPC分类号： H01L51/0508 , H01L51/0003
摘要： 本发明涉及一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其包括以下步骤：S1：制备C8‑BTBT与PMMA混合溶液；S2：衬底清洗：选取含二氧化硅的P型重掺硅片，裁剪后对其进行清洗；S3：制备C8‑BTBT有源层和PMMA修饰层：在衬底上用滴管铺满由步骤S1配置得到的C8‑BTBT与PMMA混合溶液，在2000～3000rpm的转速下旋涂40s；S4：对旋涂好的薄膜进行热处理；S5：制备氧化钼缓冲层；S6：制备源漏电极。该制备方法简单、制得的有源层表面缺陷少，制得的晶体管器件性能得到提高。本发明还提供一种采用上述制备方法制备而成的晶体管，其迁移率可达到10.40cm2/(V·S)，开关比大，开态电流大，性能较现有技术有了显著的提升。
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