发明公开
- 专利标题: 单晶硅同心圆及黑角的检测前预处理方法
- 专利标题(英): pretreatment method for detecting the concentric circle of monocrystalline silicon
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申请号: CN201811020607.0申请日: 2018-09-03
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公开(公告)号: CN109273377A公开(公告)日: 2019-01-25
- 发明人: 张浩强 , 杨红涛 , 柳志强 , 杨建勇 , 焦鹏 , 李双凯 , 李春辉
- 申请人: 宁晋晶兴电子材料有限公司
- 申请人地址: 河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
- 专利权人: 宁晋晶兴电子材料有限公司
- 当前专利权人: 曲靖晶澳光伏科技有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
- 代理机构: 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 李冉
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
本发明涉及一种单晶硅同心圆的检测前预处理方法,切取单晶硅头部圆形的样块;将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/4圆以上的样片;将获取的样片退火处理;将退火处理后的样片经过碱性溶液煮制;然后将煮制后的样片浸泡到酸液中;将浸泡酸液后的样片纯水冲洗、晾干;将晾干的样片进行样片少子寿命测试。本发明还提供了一种单晶硅黑角的检测前预处理方法,切取任一单晶硅尾部圆形样块;将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/3圆以上的样片;将获取的样片酸性溶液腐蚀;将酸性溶液腐蚀后的样片清洗酸液残留;将清洗酸液残留的样片退火处理;将退火处理的样片自然风干后,使用碱性溶液煮制;将煮制处理后的样片进行少子寿命测试。
公开/授权文献
- CN109273377B 单晶硅同心圆及黑角的检测前预处理方法 公开/授权日:2020-09-15
IPC分类: