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公开(公告)号：CN112158720A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010879676.8
申请日：2020-08-27
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于碳碳埚的吊具及碳碳埚吊取方法，涉及夹具技术领域。其包括钩吊部、第一支架和第二支架；所述第一支架具有第一支架第一端和第一支架第二端，所述第一支架第一端设有用于支撑碳碳埚内壁的第一支撑部，第一支撑部与所述第一支架呈预定夹角，所述第一支架第二端与所述钩吊部活动连接；所述第二支架具有第二支架第一端和第二支架第二端，所述第二支架第二端设有用于支撑碳碳埚内壁的第二支撑部，第二支撑部与所述第二支架呈预定夹角；所述第二支架第一端与所述第一支架活动连接。本发明提供的一种用于碳碳埚的吊具及碳碳埚吊取方法，能够解决单晶拆炉后，碳碳埚的快速吊取，以便于进行清扫维护，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN109112625A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811136042.2
申请日：2018-09-28
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶硅变速放肩工艺，包括以下步骤：①化料步骤、②稳定步骤、③引颈步骤、④阶梯变速放肩步骤、⑤转肩步骤、⑥等径步骤、⑦收尾步骤，本发明相对于现有技术而言，具备着进一步的改进，可以极大的降低位错发生概率，始终都可以保持硅原子的良好排列关系，可以有效防止同心圆缺陷和位错缺陷，拉晶过程中对精密程度要求较高，热应力是导致位错的重要原因，采用了新型的变速放肩工艺，在放肩过程中速度并非定值而是一个渐变速度，这样使得肩部开叉向外快速生长形成肩盘，有效降低肩盘高度，降低了废料量,缩短了放肩时间，提高了单晶产能和品质。
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公开(公告)号：CN111001577A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911251156.6
申请日：2019-12-09
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碎硅料处理方法，属于原材料处理技术领域。所述方法包括：利用自动筛选机的非金属筛网筛选出目标直径的硅料；将筛选出的目标直径的硅料经过磁选机磁选；将磁选后的硅料加入配制好的硝酸、氢氟酸混合溶液中酸洗；将酸洗后的硅料进行超声波清洗；将超声波清洗后的硅料甩干并烘干。本发明提高了碎硅料品质和硅料利用率，工作效率高，最终实现了效益创收。
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公开(公告)号：CN113862783A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111061608.1
申请日：2021-09-10
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本申请涉及单晶硅技术领域，具体公开了一种单晶硅制备方法，包括以下步骤：对拆炉后的热场进行清扫和首次除杂；安装首次除杂后的热场；对安装后的热场进行二次除杂；将硅料装填到单晶炉内，然后加热融化形成硅熔体；将籽晶预热，待硅熔体达到引颈温度后将籽晶浸入硅熔体中并提拉籽晶进行引颈生长；待引颈生长结束后进行放肩和转肩，然后进入等径生长；待等径生长结束后进行收尾；待收尾结束后提断，冷却后取出单晶硅棒。通过对热场进行二次除杂，避免了热场安装后的二次污染，提升了拉制首棒(第一棒)一次成晶率。
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公开(公告)号：CN109273377B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811020607.0
申请日：2018-09-03
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种单晶硅同心圆的检测前预处理方法，切取单晶硅头部圆形的样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/4圆以上的样片；将获取的样片退火处理；将退火处理后的样片经过碱性溶液煮制；然后将煮制后的样片浸泡到酸液中；将浸泡酸液后的样片纯水冲洗、晾干；将晾干的样片进行样片少子寿命测试。本发明还提供了一种单晶硅黑角的检测前预处理方法，切取任一单晶硅尾部圆形样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/3圆以上的样片；将获取的样片酸性溶液腐蚀；将酸性溶液腐蚀后的样片清洗酸液残留；将清洗酸液残留的样片退火处理；将退火处理的样片自然风干后，使用碱性溶液煮制；将煮制处理后的样片进行少子寿命测试。
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公开(公告)号：CN109273377A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811020607.0
申请日：2018-09-03
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种单晶硅同心圆的检测前预处理方法，切取单晶硅头部圆形的样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/4圆以上的样片；将获取的样片退火处理；将退火处理后的样片经过碱性溶液煮制；然后将煮制后的样片浸泡到酸液中；将浸泡酸液后的样片纯水冲洗、晾干；将晾干的样片进行样片少子寿命测试。本发明还提供了一种单晶硅黑角的检测前预处理方法，切取任一单晶硅尾部圆形样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/3圆以上的样片；将获取的样片酸性溶液腐蚀；将酸性溶液腐蚀后的样片清洗酸液残留；将清洗酸液残留的样片退火处理；将退火处理的样片自然风干后，使用碱性溶液煮制；将煮制处理后的样片进行少子寿命测试。
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公开(公告)号：CN208249908U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820716908.6
申请日：2018-05-14
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本实用新型提出了一种新型的硅料加料器，其包括加料器主体，加料器主体为筒形主体，在加料器主体的顶端敞开有进料口，位于加料器的底部形成有渐变缩口的锥形部，锥形部的底端敞开有出料口，沿着出料口的边缘向外水平延伸形成有对接板，沿着对接板的边缘垂直向下延伸形成有对接壁，采用了筒状的加料器，并且采用了圆弧过渡的外形，使得物料更易滑落。
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公开(公告)号：CN206297016U
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201621279686.3
申请日：2016-11-25
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种调整单晶垂直度的装置，包括设置在内圆机刀盘(1)一侧的控制器(2)、电动丝杠(3)和移动夹具(4)，移动夹具(4)装配在电动丝杠(3)上并可在控制器(2)的作用下沿电动丝杠(2)的轴向左右移动，其特征在于：还包括红外射线装置(5)和高度调整装置(6)，红外射线装置(5)与控制器(2)和移动夹具(4)都设置在内圆机刀盘(1)的同一侧，红外射线装置(5)设置有四个成矩阵式分布的发射头，每个发射头发射的红外线都与内圆机刀盘(1)垂直设置，高度调整装置(6)设置在移动夹具的上端。以红外线为基准适当调节单晶的角度，达到单晶垂直度理想的效果。
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公开(公告)号：CN209292513U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201821812375.8
申请日：2018-11-05
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种单晶炉用组合加热器，包括：多个支撑部件和过渡部件相互连接围合成一个圆形，且支撑部件和过渡部件均由石墨材料制成。由于其包括多个支撑部件和过渡部件相互连接围合成一个圆形，且支撑部件和过渡部件均由石墨材料制成，如果加热器局部损坏，无需整个加热器更换，只需要更换对应部分的支撑部件或过渡部件即可，节省了使用成本。同时，由于现有技术中，加热器为一个大直径的石墨料通过去除材料的方法获得加热器，需要中部去除大量材料，因此购买原石墨料价格昂贵，且加工困难，容易出现不合格品，造成加热器加工成本高；本申请设计方案，仅需要购买小块料进行加工后连接即可使用，成本低廉，同时降低了加工难度。
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公开(公告)号：CN209292207U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201821686348.0
申请日：2018-10-17
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
IPC分类号： C03B20/00
摘要： 本实用新型涉及一种石英坩埚石墨模具，在石墨模具上等间距交错开设有多个第一通孔和第二通孔；第一通孔直径小于第二通孔直径；间距为25±0.5mm。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本实用新型公开提供了一种石英坩埚石墨模具，由于在石墨模具上等间距交错开设有多个第一通孔和第二通孔，且孔径不同，固定孔距；有利于坩埚熔制时，均匀抽出大量的空气，降低坩埚透明层内的气泡的产生，增加透明层厚度，进而提高了坩埚质量。采用专利号2018104909064，专利名称为一种大尺寸石英坩埚的制备方法制备坩埚，透明层厚度达4-6mm，保证坩埚在200-300小时内，不出现析晶、变形，漏硅情况。
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