本发明涉及一种单晶硅同心圆的检测前预处理方法，切取单晶硅头部圆形的样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/4圆以上的样片；将获取的样片退火处理；将退火处理后的样片经过碱性溶液煮制；然后将煮制后的样片浸泡到酸液中；将浸泡酸液后的样片纯水冲洗、晾干；将晾干的样片进行样片少子寿命测试。本发明还提供了一种单晶硅黑角的检测前预处理方法，切取任一单晶硅尾部圆形样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/3圆以上的样片；将获取的样片酸性溶液腐蚀；将酸性溶液腐蚀后的样片清洗酸液残留；将清洗酸液残留的样片退火处理；将退火处理的样片自然风干后，使用碱性溶液煮制；将煮制处理后的样片进行少子寿命测试。