- 专利标题: 一种针对压接式 IGBT 模块子模组的测试装置及方法
- 专利标题(英): Testing device and method for sub-module of crimping type IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module
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申请号: CN201710607085.3申请日: 2017-07-24
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公开(公告)号: CN109298305A公开(公告)日: 2019-02-01
- 发明人: 万超群 , 宋自珍 , 李义 , 李炘 , 陈彦 , 李世平 , 常桂钦
- 申请人: 株洲中车时代电气股份有限公司
- 申请人地址: 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 专利权人: 株洲中车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人: 株洲中车时代半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 代理机构: 北京聿华联合知识产权代理有限公司
- 代理商 张文娟; 朱绘
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R1/067
摘要:
本发明公开了一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法。装置包括:发射极引出端;栅极引出端;集电极引出端;压块,压块上表面构造有螺杆接触部,压块下表面构造有栅极接触部以及突出的压块压头,所述栅极接触部连接到所述栅极引出端,所述压块压头连接到所述发射极引出端;测试腔,测试腔内顶部构造有具备螺纹的螺杆安置口,测试腔内底部对应所述螺杆安置口的位置构造有用于安置所述待测试IGBT模块子模组的安置部;螺杆,其具备螺纹且与所述螺杆安置口匹配。本发明的装置的结构匹配压接式IGBT模块子模组,其可以辅助现有测试设备对压接式IGBT模块子模组进行测试。相较于现有技术中的设备,本发明装置结构简单,使用简便,具有很高的实用价值。
公开/授权文献
- CN109298305B 一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法 公开/授权日:2020-12-11