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公开(公告)号：CN111524877A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN108231714B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201611153311.7
申请日：2016-12-14
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种功率模块及其制作方法，功率模块包括：芯片，用于布置芯片的衬板，以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括：陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面，背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面，且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大，模块散热效率低，密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号：CN107768340B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710827140.X
申请日：2017-09-14
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板，包括：从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层，第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区，第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽，凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大，芯片焊接需要使用焊接工装，衬板正面金属层为强电和弱电的结合层，衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN109298305A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710607085.3
申请日：2017-07-24
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC分类号： G01R31/2608 , G01R1/06722
摘要： 本发明公开了一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法。装置包括：发射极引出端；栅极引出端；集电极引出端；压块，压块上表面构造有螺杆接触部，压块下表面构造有栅极接触部以及突出的压块压头，所述栅极接触部连接到所述栅极引出端，所述压块压头连接到所述发射极引出端；测试腔，测试腔内顶部构造有具备螺纹的螺杆安置口，测试腔内底部对应所述螺杆安置口的位置构造有用于安置所述待测试IGBT模块子模组的安置部；螺杆，其具备螺纹且与所述螺杆安置口匹配。本发明的装置的结构匹配压接式IGBT模块子模组，其可以辅助现有测试设备对压接式IGBT模块子模组进行测试。相较于现有技术中的设备，本发明装置结构简单，使用简便，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN106270871A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610939537.3
申请日：2016-11-01
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC分类号： B23K1/00 , B23K1/20 , B23K20/00 , B23K20/24 , B23K2101/40
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件的焊接方法，包括如下步骤：向功率半导体器件的散热器换热腔中通入预定温度的换热介质；将所述功率半导体器件的衬板与所述散热器焊接。采用本发明的焊接方法进行焊接，利用散热器本身的导热特性，向散热器的换热腔通入预定温度的换热介质，能够使换热介质快速的换热，使散热器快速升温，进而提高加热效率。同时因为散热器散热，需要均匀散热，反向地，所以换热介质也就能够使散热器均匀升温，进而保证散热器被焊接位置的温度均匀性，继而保证焊接质量，所以该功率半导体器件的焊接方法能够有效地解决焊接时焊接位置升温效果不好的问题。本发明还公开了一种采样上述焊接方法的半导体器件的焊接系统。
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公开(公告)号：CN108122897B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07
摘要： 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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公开(公告)号：CN108122897A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07
摘要： 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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公开(公告)号：CN108231714A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611153311.7
申请日：2016-12-14
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种功率模块及其制作方法，功率模块包括：芯片，用于布置芯片的衬板，以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括：陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面，背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面，且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大，模块散热效率低，密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号：CN107706168A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610650357.3
申请日：2016-08-09
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/488 , H01L21/565 , H01L23/3171 , H01L23/3185
摘要： 本发明提出了一种子单元结构和制造其的方法。该子单元结构包括：芯片；与芯片的至少部分发射极相接触的发射极金属垫块；与芯片的集电极相接触的集电极金属垫块；包覆式设置在芯片的与发射极金属垫块和集电极金属垫块接触的表面之外的表面上的用于绝缘的绝缘胶框。该子单元结构结构简单，零件数目少，大大简化了封装模块的复杂程度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107768340A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710827140.X
申请日：2017-09-14
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板，包括：从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层，第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区，第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽，凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大，芯片焊接需要使用焊接工装，衬板正面金属层为强电和弱电的结合层，衬板间互连较复杂的技术问题。
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