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公开(公告)号：CN107768340A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710827140.X
申请日：2017-09-14
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板，包括：从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层，第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区，第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽，凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大，芯片焊接需要使用焊接工装，衬板正面金属层为强电和弱电的结合层，衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN111524877A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN110416771A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810391310.9
申请日：2018-04-27
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种能够调节行程的软连接结构，包括：安装部和接触部；所述安装部的连接端与复合母排连接，所述接触部的接触端与模块的母排端子接触；所述安装部和接触部之间设有软连接部，所述软连接部包括导柱，所述导柱的一端位于接触部内，另一端与安装部螺纹连接，在接触部内调节导柱与安装部的旋合深度调整安装部和接触部的距离。本发明的软连接结构，能够吸收母排端子安装面的高度差，消除由于高度差造成的母排端子变形和产生的机械应力，达到保护器件的目的；同时可调的预紧力和压缩行程，以及接触部的软接触设计可以有效保证各安装面的有效接触；该设计有助于提升器件和系统应用的可靠性。
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公开(公告)号：CN106707130B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN107728032B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610672233.5
申请日：2016-08-16
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
摘要： 一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
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公开(公告)号：CN107728032A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610672233.5
申请日：2016-08-16
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
摘要： 一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
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公开(公告)号：CN106707130A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2608
摘要： 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN107768340B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710827140.X
申请日：2017-09-14
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板，包括：从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层，第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区，第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽，凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大，芯片焊接需要使用焊接工装，衬板正面金属层为强电和弱电的结合层，衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN109298305A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710607085.3
申请日：2017-07-24
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC分类号： G01R31/2608 , G01R1/06722
摘要： 本发明公开了一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法。装置包括：发射极引出端；栅极引出端；集电极引出端；压块，压块上表面构造有螺杆接触部，压块下表面构造有栅极接触部以及突出的压块压头，所述栅极接触部连接到所述栅极引出端，所述压块压头连接到所述发射极引出端；测试腔，测试腔内顶部构造有具备螺纹的螺杆安置口，测试腔内底部对应所述螺杆安置口的位置构造有用于安置所述待测试IGBT模块子模组的安置部；螺杆，其具备螺纹且与所述螺杆安置口匹配。本发明的装置的结构匹配压接式IGBT模块子模组，其可以辅助现有测试设备对压接式IGBT模块子模组进行测试。相较于现有技术中的设备，本发明装置结构简单，使用简便，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN108091637A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611046882.0
申请日：2016-11-23
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT模块管壳及其制作方法，涉及IGBT模块技术领域，可在提升防宇宙射线能力的前提下便于IGBT模块的使用。该IGBT模块管壳包括本体，所述本体上设有防宇宙射线能力强于所述本体的防宇宙射线物质。本发明IGBT模块管壳用于防止高能射线对IGBT芯片的轰击。
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