- 专利标题: 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of semiconductor laser device with high current density and high heat dissipation coefficient
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申请号: CN201710636400.5申请日: 2017-07-31
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公开(公告)号: CN109326952A公开(公告)日: 2019-02-12
- 发明人: 陈康 , 苏建 , 任夫洋 , 刘青 , 王金翠 , 肖成峰 , 郑兆河
- 申请人: 山东华光光电子股份有限公司
- 申请人地址: 山东省济南市高新区天辰大街1835号
- 专利权人: 山东华光光电子股份有限公司
- 当前专利权人: 山东华光光电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省济南市高新区天辰大街1835号
- 主分类号: H01S5/024
- IPC分类号: H01S5/024 ; H01S5/02
摘要:
一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法,依次包括如下步骤:a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片;b)在接触层上生长保护层;c)在保护层上粘接临时衬底;d)对第一衬底进行减薄处理;e)在第一衬底下端切割N个开槽;f)进行湿法氧化处理;g)对第一衬底进行蒸发键合金属处理;h)去除临时衬底;i)制成激光器。通过湿法氧化处理后,制备了电流截止区域,能使脊上有较大的电流密度,提升光电转换效率,同时在第一衬底下方制作第二衬底,第二衬底相比第一衬底具备更高的热扩散系数,有利于激光器散热,提高激光器的寿命和可靠性。
公开/授权文献
- CN109326952B 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法 公开/授权日:2020-07-07