- 专利标题: 一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法
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申请号: CN201811299535.8申请日: 2018-11-02
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公开(公告)号: CN109374687B公开(公告)日: 2020-06-02
- 发明人: 刘欢 , 杨剑弦 , 杨书琴 , 罗勰 , 刘竞尧 , 胡志响
- 申请人: 华中科技大学 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学,中国工程物理研究院化工材料研究所
- 当前专利权人: 华中科技大学,中国工程物理研究院化工材料研究所
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 许恒恒; 李智
- 主分类号: G01N27/12
- IPC分类号: G01N27/12
摘要:
本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法,其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜;接着,在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理;然后,向所述电极施加老化电压持续老化6~10天,即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进,得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜,该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜,制作工艺简单,成本低,无需高温(400℃以上)处理,在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化,且响应速度快,在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
公开/授权文献
- CN109374687A 一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法 公开/授权日:2019-02-22