-
公开(公告)号：CN109374687A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811299535.8
申请日：2018-11-02
申请人： 华中科技大学 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109374687B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811299535.8
申请日：2018-11-02
申请人： 华中科技大学 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114471149A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210233668.5
申请日：2022-03-10
申请人： 宇星科技发展(深圳)有限公司 , 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种VOCs超低排放处理系统，包括：预处理装置，用于对VOCs废气中大颗粒物和高沸点物质进行脱除处理；TO/RTO燃烧单元，用于对脱除处理后的VOCs废气进行高温销毁；换热器/余热锅炉，用于将TO/RTO燃烧单元高温销毁后的高温洁净烟气分为多组热流回收利用；SCR脱硝装置，用于对换热器/余热锅炉出口的高温洁净烟气进行脱销处理；排放装置，用于对脱销处理后的VOCs废气进行排放处理。本发明通过预处理装置、TO/RTO燃烧单元、换热器/余热锅炉、SCR脱硝装置和排放装置等对VOCs废气进行相应处理，以此实现对于VOCs废气的超低排放处理。
-
公开(公告)号：CN107170849B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710308855.4
申请日：2017-05-04
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种基于胶体量子点的条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备方法，包括如下步骤：向玻璃板上生长一层硅；旋涂光刻胶；转移条形阵列结构进行显影处理；去胶处理；旋涂量子点；通过电子束蒸发设备蒸镀一层金。本发明利用条形阵列结构对短波红外特定波长的谐振作用，实现对特定波长光的全吸收，通过调节条形阵列结构的几何结构参数来控制光学吸收，实现了特定波长可调，实现可见光到红外光的吸收，且具有偏振相关性，进而胶体量子点材料制成探测器。该制备方法简易，响应迅速，可操作性强，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
摘要： 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
-
公开(公告)号：CN108444927A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
-
公开(公告)号：CN117805317A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311813678.7
申请日：2023-12-26
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G01N33/00 , G06F18/2413 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/0499 , G06N3/047 , G06F18/25 , G06N3/08
摘要： 本发明提供一种基于电子鼻系统的多组分气体检测方法及装置，方法包括：通过电子鼻系统采集多组分气体样本，对所述多组分气体样本进行气体种类识别，得到所述多组分气体样本的识别结果，并采集多组分气体样本作为训练集；在确定所述多组分气体样本的气体种类的情况下，将所述测试集输入至训练好的混合神经网络中，得到所述测试集的二维检测结果，所述二维检测结果包括所述测试集对应的多组分气体样本中每一维气体的气体浓度。本发明能够实现多组分气体的多远浓度检测，进而提高多组分气体样本的检测精确度和检测效率。
-
公开(公告)号：CN112666229A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011464478.1
申请日：2020-12-14
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种场效应管氢气传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。主要特点是将氢气敏感薄膜与场效应晶体管进行集成，利用场效应管将氢气敏感薄膜与氢气作用发生的物理化学变化转化为电信号，放大实现对低浓度氢气的检测。本发明的氢气传感器具有功耗低、灵敏度高和易于集成的特点。
-
公开(公告)号：CN108502927B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1‑十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100‑120℃，并维持60‑120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170‑180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5‑60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
-
公开(公告)号：CN108502927A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1-十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100-120℃，并维持60-120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170-180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5-60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
244 条记录 (耗时 0.114 秒)
