本发明提供一种光掩膜及半导体装置的形成方法。该光掩膜的形成方法包含提供第一图案，其中第一图案包含第一透光区和第一遮光区，将第一图案转换成第二图案，其中第二图案包含第二透光区和第二遮光区，第二透光区位于第一透光区的范围内，且第二透光区的面积小于第一透光区的面积，第二遮光区包含第一遮光区的所有范围，且第二遮光区的面积大于第一遮光区的面积，以及将第二图案形成于光掩膜基底上，以形成光掩膜，其中光掩膜在材料层的离子植入工艺中使用。本发明可使光掩膜能在光刻工艺中具有较高的工艺裕度，降低工艺成本。