发明授权
- 专利标题: 互连结构及其制造方法
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申请号: CN201711274799.3申请日: 2017-12-06
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公开(公告)号: CN109427734B公开(公告)日: 2021-07-23
- 发明人: 张又仁 , 谢旻谚 , 陈华丰 , 潘国华
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权: 15/692,212 20170831 US
- 主分类号: H01L23/522
- IPC分类号: H01L23/522 ; H01L23/532 ; H01L21/768
摘要:
本文公开了互连结构和用于形成互连结构的相应的技术。示例性互连结构包括导电部件和设置在导电部件上方的通孔,导电部件包括钴。通孔包括设置在导电部件上方的第一通孔阻挡层、设置在第一通孔阻挡层上方的第二通孔阻挡层以及设置在第二通孔阻挡层上方的通孔块状层。第一通孔阻挡层包括钛,并且第二通孔阻挡层包括钛和氮。通孔块状层可以包括钨和/或钴。覆盖层可以设置在导电部件上方,其中,通孔延伸穿过覆盖层以接触导电部件。在一些实施方式中,覆盖层包括钴和硅。本发明的实施例还涉及制造互连结构的方法。
公开/授权文献
- CN109427734A 互连结构及其制造方法 公开/授权日:2019-03-05
IPC分类: