发明公开
- 专利标题： 一种碳化硅陶瓷光固化成型方法
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申请号： CN201910022309.3申请日： 2019-01-09
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公开(公告)号： CN109467438A公开(公告)日： 2019-03-15
- 发明人: 何汝杰 , 丁国骄 , 张可强 , 张路 , 白雪建 , 冯成威 , 方岱宁
- 申请人： 北京理工大学
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人： 北京理工大学
- 当前专利权人： 北京理工大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村南大街5号
- 代理机构： 北京理工正阳知识产权代理事务所
- 代理商 唐华
- 主分类号： C04B35/565
- IPC分类号： C04B35/565 ; C04B35/573 ; C04B35/622 ; B33Y70/00
摘要：
本发明涉及一种碳化硅陶瓷光固化成型方法，属于碳化硅陶瓷成型领域。本发明的成型方法，首先将SiC陶瓷粉体、光敏树脂、光引发剂混合球磨，得到分散均匀的SiC浆料；然后利用光固化成型设备打印成SiC陶瓷生坯；再经过热解后使得SiC陶瓷生坯转变成C/SiC坯体；再通过高温渗硅，使Si与C/SiC坯体中的C进行原位反应生成SiC。本发明的成型方法实现了碳化硅陶瓷的光固化成型制备。
IPC分类:
