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公开(公告)号：CN110922190A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911278226.7
申请日：2019-12-12
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , B33Y50/00 , B33Y10/00 , G02B5/08 , G02B1/00 , C04B35/64 , C04B41/81
摘要： 本发明公开了一种碳化硅陶瓷空间反射镜的数字光处理增材制造方法，包括以下步骤：利用三维制图软件建立空间反射镜三维模型的步骤；制备满足3D打印要求的SiC陶瓷浆料的步骤；利用3D打印工艺将步骤二得到的SiC陶瓷浆料按照步骤一的空间反射镜三维模型打印成SiC空间反射镜生坯的步骤；对步骤三得到SiC空间反射镜生坯进行脱脂的步骤；对步骤四脱脂后的SiC空间反射镜进行液相无压烧结的步骤；对步骤五烧结后的SiC空间反射镜进行CVD处理和镜面抛光处理的步骤。本发明具有制造精度高、成型速度快、且可实现极其复杂SiC陶瓷结构的制备等优势。通过本发明的方法，成功制备了SiC空间反射镜。
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公开(公告)号：CN109678525A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910019660.7
申请日：2019-01-09
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： C04B35/589 , C04B35/622 , B29C64/124 , B33Y70/00 , B33Y10/00
CPC分类号： C04B35/589 , B29C64/124 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , C04B35/622 , C04B2235/656 , C04B2235/6567
摘要： 本发明涉及一种基于聚硅氮烷先驱体的氮化硅陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷材料制备领域。本发明陶瓷材料各组分质量百分比为聚硅氮烷45～75wt.％；光固化树脂20～50wt.％；光引发剂3～5wt.％；除泡剂1～5wt.％。本发明陶瓷材料的制备方法，首先将聚硅氮烷、光固化树脂、光引发剂与除泡剂加入球磨机中，200～400rpm转速下球磨1～2小时得到混合均匀的浆料；然后利用光固化成型设备打印成预定形状的陶瓷生坯；再经过干燥和真空烧结得到陶瓷成品。
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公开(公告)号：CN110922190B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201911278226.7
申请日：2019-12-12
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , B33Y50/00 , B33Y10/00 , G02B5/08 , G02B1/00 , C04B35/64 , C04B41/81
摘要： 本发明公开了一种碳化硅陶瓷空间反射镜的数字光处理增材制造方法，包括以下步骤：利用三维制图软件建立空间反射镜三维模型的步骤；制备满足3D打印要求的SiC陶瓷浆料的步骤；利用3D打印工艺将步骤二得到的SiC陶瓷浆料按照步骤一的空间反射镜三维模型打印成SiC空间反射镜生坯的步骤；对步骤三得到SiC空间反射镜生坯进行脱脂的步骤；对步骤四脱脂后的SiC空间反射镜进行液相无压烧结的步骤；对步骤五烧结后的SiC空间反射镜进行CVD处理和镜面抛光处理的步骤。本发明具有制造精度高、成型速度快、且可实现极其复杂SiC陶瓷结构的制备等优势。通过本发明的方法，成功制备了SiC空间反射镜。
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公开(公告)号：CN109467438A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201910022309.3
申请日：2019-01-09
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/622 , B33Y70/00
摘要： 本发明涉及一种碳化硅陶瓷光固化成型方法，属于碳化硅陶瓷成型领域。本发明的成型方法，首先将SiC陶瓷粉体、光敏树脂、光引发剂混合球磨，得到分散均匀的SiC浆料；然后利用光固化成型设备打印成SiC陶瓷生坯；再经过热解后使得SiC陶瓷生坯转变成C/SiC坯体；再通过高温渗硅，使Si与C/SiC坯体中的C进行原位反应生成SiC。本发明的成型方法实现了碳化硅陶瓷的光固化成型制备。
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