公开(公告)号：CN110922190B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201911278226.7

申请日：2019-12-12

申请人： 北京理工大学

发明人： 何汝杰 ,  丁国骄 ,  张可强 ,  张路 ,  白雪建 ,  冯成威 ,  方岱宁

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B33Y50/00 ,  B33Y10/00 ,  G02B5/08 ,  G02B1/00 ,  C04B35/64 ,  C04B41/81

摘要： 本发明公开了一种碳化硅陶瓷空间反射镜的数字光处理增材制造方法，包括以下步骤：利用三维制图软件建立空间反射镜三维模型的步骤；制备满足3D打印要求的SiC陶瓷浆料的步骤；利用3D打印工艺将步骤二得到的SiC陶瓷浆料按照步骤一的空间反射镜三维模型打印成SiC空间反射镜生坯的步骤；对步骤三得到SiC空间反射镜生坯进行脱脂的步骤；对步骤四脱脂后的SiC空间反射镜进行液相无压烧结的步骤；对步骤五烧结后的SiC空间反射镜进行CVD处理和镜面抛光处理的步骤。本发明具有制造精度高、成型速度快、且可实现极其复杂SiC陶瓷结构的制备等优势。通过本发明的方法，成功制备了SiC空间反射镜。

公开(公告)号：CN109467438A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201910022309.3

申请日：2019-01-09

申请人： 北京理工大学

发明人： 何汝杰 ,  丁国骄 ,  张可强 ,  张路 ,  白雪建 ,  冯成威 ,  方岱宁

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/00

摘要： 本发明涉及一种碳化硅陶瓷光固化成型方法，属于碳化硅陶瓷成型领域。本发明的成型方法，首先将SiC陶瓷粉体、光敏树脂、光引发剂混合球磨，得到分散均匀的SiC浆料；然后利用光固化成型设备打印成SiC陶瓷生坯；再经过热解后使得SiC陶瓷生坯转变成C/SiC坯体；再通过高温渗硅，使Si与C/SiC坯体中的C进行原位反应生成SiC。本发明的成型方法实现了碳化硅陶瓷的光固化成型制备。

公开(公告)号：CN108439991A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810453533.3

申请日：2018-05-14

申请人： 北京理工大学

发明人： 仝宗伟 ,  何汝杰 ,  白雪建 ,  张可强 ,  胡磊 ,  张路

IPC分类号： C04B35/58

摘要： 本发明涉及一种应用于超高温感应加热的发热材料及其制备方法，属于发热材料领域。本发明的发热材料，各组分质量百分比为：二硅化钼粉20～85％；二硼化锆粉5～70％；碳化硅粉2～20％；粘结剂1～10％；增塑剂1～10％；润滑剂1～10％；水5～20％。本发明发热材料的制备方法为，将二硅化钼粉、二硼化锆粉、碳化硅粉和粘结剂加入球磨机中，与无水乙醇共混；将共混后的泥浆经干燥得到粉料过筛；增塑剂和润滑剂与水混合后加入过筛后的粉料中，再用练泥机练泥成泥料；泥料经陈腐后采用真空挤出工艺成型；挤出成型的生坯经干燥、脱脂处理后，在1600～1900℃条件下烧结1～3小时，得到目标产品。本发明制得的超高温感应发热材料在氧化性气氛中的最高使用温度可高达1800～1900℃。

公开(公告)号：CN110922190A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911278226.7

申请日：2019-12-12

申请人： 北京理工大学

发明人： 何汝杰 ,  丁国骄 ,  张可强 ,  张路 ,  白雪建 ,  冯成威 ,  方岱宁

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B33Y50/00 ,  B33Y10/00 ,  G02B5/08 ,  G02B1/00 ,  C04B35/64 ,  C04B41/81

摘要： 本发明公开了一种碳化硅陶瓷空间反射镜的数字光处理增材制造方法，包括以下步骤：利用三维制图软件建立空间反射镜三维模型的步骤；制备满足3D打印要求的SiC陶瓷浆料的步骤；利用3D打印工艺将步骤二得到的SiC陶瓷浆料按照步骤一的空间反射镜三维模型打印成SiC空间反射镜生坯的步骤；对步骤三得到SiC空间反射镜生坯进行脱脂的步骤；对步骤四脱脂后的SiC空间反射镜进行液相无压烧结的步骤；对步骤五烧结后的SiC空间反射镜进行CVD处理和镜面抛光处理的步骤。本发明具有制造精度高、成型速度快、且可实现极其复杂SiC陶瓷结构的制备等优势。通过本发明的方法，成功制备了SiC空间反射镜。