本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长有源层；在由氢气形成的生长气氛中，在所述有源层上生长第一P型半导体层；在由氮气形成的生长气氛中，在所述第一P型半导体层上生长第二P型半导体层；其中，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均包括多个氮化镁层和多个掺杂镁的氮化镓层，所述多个氮化镁层和所述多个掺杂镁的氮化镓层交替层叠设置。本发明可以提高P型半导体层中的空穴浓度，最终提高LED的发光效率。