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公开(公告)号：CN118969915A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410813194.0
申请日：2024-06-24
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：在外延片表面形成粗化开口，所述粗化开口包括沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘排布的多排图形化开口，且每排所述图形化开口中，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述图形化开口尺寸逐渐增大；将所述外延片放入粗化溶液中；控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，直到粗化完成。
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公开(公告)号：CN118867076A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410778866.9
申请日：2024-06-17
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：衬底、缓冲层、三维成核层、未掺杂半导体层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层。三维成核层包括晶格结构处理子层、第一三维成核子层和第二三维成核子层；其中，晶格结构处理子层为在纯H2气氛下生长而成的GaN子层；第一三维成核子层为在纯N2气氛下而成的GaN子层；第二三维成核子层在第一三维成核子层生长完成后停顿一段时间后生长而成；第二三维成核子层为在纯H2气氛下生长而成的GaN子层。三维成核层可以有效减少晶格失配导致的缺陷和位错，减小漏电流，提高复合几率，增大出光效率。
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公开(公告)号：CN118825163A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410808043.6
申请日：2024-06-21
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种提高发光角度的倒装发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管包括依次层叠的透明衬底、填平层、键合层和外延层；透明衬底的第一表面具有多个第一图形结构，透明衬底的第二表面具有多个第二图形结构，第一表面和第二表面为透明衬底的相反的两表面；填平层覆盖第一表面。本公开实施例能提高倒装LED的发光角度和出光效率。
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公开(公告)号：CN118693213A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410728287.3
申请日：2024-06-06
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种焊盘平整化的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延结构、第一绝缘层和焊盘；所述第一绝缘层位于所述外延结构的顶面上，且所述第一绝缘层具有露出所述外延结构的电连接区域的第一通孔，所述焊盘通过所述第一通孔与所述电连接区域相连；所述电连接区域的至少部分区域为凹陷区域，所述焊盘在所述外延结构的顶面的正投影位于所述凹陷区域之外。本公开实施例能提升发光二极管的焊盘的平整性，改善焊盘在封装过程中出现焊接不良的问题。
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公开(公告)号：CN118658945A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410633088.4
申请日：2024-05-21
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、透明导电层、第一绝缘层、金属反射层、保护层和第一连接电极，透明导电层位于外延层的表面上，第一绝缘层位于外延层的表面上，第一绝缘层具有露出透明导电层的第一通孔；金属反射层位于第一绝缘层的远离外延层的表面上，金属反射层具有露出第一通孔的第二通孔，保护层至少位于第一绝缘层的远离外延层的表面上、金属反射层的表面上和第二通孔的内壁上，第一连接电极位于保护层的远离外延层的一侧，第一连接电极通过通孔与透明导电层相连。本公开实施例能改善金属反射层中金属发生迁移的问题，提升发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN118563259A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410359959.8
申请日：2024-03-27
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善电极蒸镀质量的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：提供一待蒸镀制品；控制电子枪按照振荡功率模式工作，以在所述待蒸镀制品的表面蒸镀电极，所述振荡功率模式包括交替执行的多个第一阶段和多个第二阶段，所述电子枪处于所述第一阶段时，控制所述电子枪的功率从第一功率上升至第二功率，所述电子枪处于所述第二阶段时，控制所述电子枪的功率从所述第二功率降低至所述第一功率。本公开实施例能保证在蒸镀过程中AuGe层的各元素组分的比例保持一致，提升电极蒸镀质量。
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公开(公告)号：CN118431371A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410282317.2
申请日：2024-03-13
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述外延结构的第一表面，所述第二电极位于所述外延结构的第二表面；所述第一电极包括多个间隔分布的子电极，多个所述子电极在第一方向上排布为多排，多个所述子电极在第二方向上排布为多排，所述第一方向和所述第二方向不平行且不垂直。
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公开(公告)号：CN118398739A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410317907.4
申请日：2024-03-20
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于释放外延材料应力的衬底和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该衬底包括基底和位于所述基底的表面的多个凸起，所述多个凸起间隔排布；所述凸起的至少部分为氧化硅材料，所述凸起为氧化硅材料的部分至少位于所述凸起的远离所述基底的一端。本公开能释放衬底上生长的外延层的应力，改善外延层容易出现裂纹的问题。
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公开(公告)号：CN118039762A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410005223.0
申请日：2024-01-02
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底、转移层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述转移层、所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层依次层叠在所述衬底；所述转移层包括二维材料层。该发光二极管无需采用激光剥离技术或化学剥离技术剥离衬底，可以解决激光剥离技术剥离衬底时，剥离面出现损伤的问题，同时还可以确保剥离衬底时的剥离效率，以提升发光二极管的制作效率。
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公开(公告)号：CN118039746A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410004120.2
申请日：2024-01-02
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善裂片的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上生长n型层；在所述n型层上生长应力释放层，所述应力释放层的生长方式包括：依次进行第一生长阶段和第二生长阶段，所述第一生长阶段包括控制生长温度为第一温度，控制石墨盘转速为第一转速，向反应腔内通入的反应气体包括氢气；所述第二生长阶段包括控制生长温度降低至第二温度，控制石墨盘转速降低至第二转速，停止向反应腔内通入氢气；在所述应力释放层上生长有源层；在所述有源层上生长p型层。本公开实施例能避免应力释放层出现较大程度的翘曲，改善发光二极管裂片的问题。
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