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公开(公告)号：CN110061103B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201910150354.7
申请日：2019-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的GaTe层、金属纳米粒子层、三维形核层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述GaTe层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述GaTe层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。
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公开(公告)号：CN109860357B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201811276029.7
申请日：2018-10-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述氮化镓基发光二极管外延片还包括电子调整层，所述电子调整层设置在所述应力释放层和所述有源层之间；所述电子调整层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓，所述电子调整层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减小。本发明通过可以提高有源层中电子和空穴的复合发光效率。
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公开(公告)号：CN109473525B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811287249.X
申请日：2018-10-31
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个所述周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；所述量子垒中插入有多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的P型掺杂的氮化镓层、未掺杂的氮化铝镓层和N型掺杂的氮化镓层。本发明通过在量子垒层中插入多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的P型掺杂的氮化镓层、未掺杂的氮化铝镓层和N型掺杂的氮化镓层，可以形成良好的二维电子气，增加电流的扩展。
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公开(公告)号：CN109440063B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811063190.6
申请日：2018-09-12
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供至少两种衬底，衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同；提供一石墨基座，石墨基座上设有多个口袋；在每个口袋中放置一个衬底，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度相同，分布在至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度自至少两个同心圆的圆心沿至少两个同心圆的径向逐渐减少；同时在每个口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。本发明可使得所有口袋中形成的外延片的翘曲一致。
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公开(公告)号：CN110739372B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910803412.1
申请日：2019-08-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法，属于半导体技术领域。恢复方法包括：向反应腔内通入Ga源和NH3形成第一化合物涂层；向反应腔内通入Al源形成第二化合物涂层；停止向反应腔内通入Al源，向反应腔内通入石墨烯，石墨烯催化反应腔内的Al源掺入第二化合物涂层中；停止向反应腔内通入石墨烯，向反应腔内通入石Mg源形成第三化合物涂层；停止向反应腔内通入Mg源，向反应腔内通入石墨烯，石墨烯催化反应腔内的Mg源插入第三化合物涂层中；停止向反应腔内通入Ga源、NH3和石墨烯，完成反应腔的恢复。本发明快速恢复到反应腔正常生长所需的优良环境，最终提高MOCVD的生长效率和产品品质。
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公开(公告)号：CN109950372B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910117966.6
申请日：2019-02-15
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，每个量子阱层均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层、第二子层和第三子层均为InxGa1‑xN层，0＜x＜1，第一子层和第三子层中的In组分是第二子层中的In组分的25％～35％。每个量子阱层的与量子垒层接触的部分In组分较低，可以减弱量子阱层与量子垒层界面处由于晶格失配产生的极化效应，提高电子和空穴的辐射复合率，从而提高LED的发光效率。每个量子阱层的中部的In组分含量较高，可以进一步提高LED的发光集中度。
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公开(公告)号：CN109244199B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811093442.X
申请日：2018-09-19
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、复合层、InGaN/GaN多量子阱层与P型GaN层时，复合层中N型低压AlN层的生长压力为100～200Torr，此时N型低压AlN层与N型GaN层连接良好，N型低压AlN层的生长质量得到保证，且未掺杂AlGaN层既含有与AlN层共用的Al原子与N原子，又含有与InGaN/GaN多量子阱层中共用的Ga原子与N原子，因此未掺杂AlGaN层与InGaN/GaN多量子阱层的晶体质量都有保证。复合层中的N型低压AlN层在保证进入InGaN/GaN多量子阱层的电子数量的同时增大电子进入InGaN/GaN多量子阱层的面积，提高发光二极管的发光效率且复合层的整体晶体质量较好，发光二极管的发光效率能够得到较大提高。
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公开(公告)号：CN110137801A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910252313.9
申请日：2019-03-29
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、散热层、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极；所述散热层、所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对；所述下反射层包括依次层叠的多层硼烯薄膜，所述散热层的材料采用石墨烯或者砷化硼。本发明将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多层硼烯薄膜，可以有效增强底部的反光效果，下反射层的反射率将远高于上反射层的反射率，VCSEL的出光效率得到极大提高。
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公开(公告)号：CN107195737B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201710520204.1
申请日：2017-06-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和改善层，改善层插入在N型氮化镓层中，改善层包括依次层叠的多个子层，每个子层包括依次层叠的AlxGa1‑xN层、SiN层和InyGa1‑yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。本发明通过在N型氮化镓层中插入AlxGa1‑xN层、SiN层和InyGa1‑yN层组成的超晶格结构，插入的超晶格结构能够有效抑制蓝宝石衬底与氮化镓材料之间晶格失配产生的缺陷延伸至多量子阱层，降低位错密度，释放应力，改善外延片的晶体质量，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN110061112A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910149942.9
申请日：2019-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的牺牲层、金属膜层、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述牺牲层为石墨烯层或者GaTe层，所述金属膜层包括若干位于所述牺牲层上的金属岛、且各个所述金属岛均与所述牺牲层接触，包围所述金属岛的横截面、且面积最小的圆的直径为500～1500nm，相邻所述金属岛之间存在间隙。
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