- 专利标题: 一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method for porous silicon carbide ceramic with vermiform crystalline grains
-
申请号: CN201811456691.0申请日: 2018-11-30
-
公开(公告)号: CN109503172A公开(公告)日: 2019-03-22
- 发明人: 王波 , 张建飞 , 智强 , 周小楠 , 黄鑫 , 丁克 , 李紫璇 , 杨建锋
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 咸阳瞪羚谷新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 712046 陕西省咸阳市高新技术产业开发区高科二路孵化园7号楼2层
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 徐文权
- 主分类号: C04B35/573
- IPC分类号: C04B35/573 ; C04B35/64 ; C04B38/00
摘要:
本发明公开了一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,该方法以碳纳米管和微米尺度的SiC为原料,稀土氧化物为烧结助剂,在氩气气氛条件下,首先通过SiO粉末蒸发的气相与碳纳米管的原位气固反应获得纳米SiC均匀分布的块体,再经过高温液相烧结,可获得具有蠕虫状晶粒多孔SiC陶瓷。SiC晶粒的尺寸遗传了碳纳米管的初始形态,因此多孔材料具有较高的强度。本发明的制备工艺简单,易于操作,通过对原料配比调配、烧结温度和保温时间改变能够有效控制孔隙尺寸及孔隙率。本发明获得的多孔碳化硅陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。
公开/授权文献
- CN109503172B 一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法 公开/授权日:2020-05-22
IPC分类: