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公开(公告)号:CN116330420B
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202310547349.6
申请日:2023-05-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及复合材料制备技术领域,尤其是一种六方氮化硼/木材复合气凝胶及其制备方法。本发明对天然巴沙木原材料进行化学处理后,将得到的木材水凝胶浸入六方氮化硼悬浮液中进行浸渍,通过定向冷冻工艺及冷冻干燥工艺构建了一种六方氮化硼/木材复合气凝胶,制备工艺简单且可控,为实现规模化工业生产提供了保障。制备的材料结合了六方氮化硼增强相与木材气凝胶基体各自的结构特征优势且涉及的原材料来源丰富广泛易获得。不仅解决了现有技术中存在的木材气凝胶在溶剂交换及干燥处理过程中容易发生结构皱缩、孔腔坍塌,从而使其性能大幅度降低的问题,而且还因六方氮化硼的引入使木材气凝胶具有功能特性。
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公开(公告)号:CN117756533A
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202311827005.7
申请日:2023-12-27
Applicant: 西安交通大学 , 陕西航空电气有限责任公司
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/634 , C04B35/632
Abstract: 本发明涉及航空发动机点火材料制备技术领域,尤其涉及一种SiC半导体点火材料及其制备方法,按质量分数计包括以下原料组分:60%~80%SiC半导体复合粉末、0.05%~0.35%异丁烯马来酸酐共聚物、0.5%~2.5%分散剂、0.1%~0.5%消泡剂、15.65%~39.25%水和0.1%~1%pH值调节剂;所述SiC半导体复合粉末包括:4%~8%的Re2Si2O7粉末、3%~6%的SiO2粉末、1%~5%的Y2O3粉末、1%~3%的SrO粉末、40%~70%SiC粉末、15%~35%的Al2O3粉末和5%~20%的ZrO2粉末,所述Re为稀土元素。该点火材料采用稀土硅酸盐化合物作为耐腐蚀相与其他粉末配合使用,使SiC半导体点火材料耐受温度高达1300℃以上,具有优异的高温稳定性、耐高温性能和抗热震性能。解决SiC半导体点火材料耐温性能差,无法满足航空发动机点火系统需求的问题。
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公开(公告)号:CN116352835A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202310546453.3
申请日:2023-05-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及碳基复合陶瓷制备技术领域,尤其是一种碳基复合陶瓷及其制备方法,选用天然木材原料,并对其依次进行首次干燥、高温处理、浸渍处理、二次干燥处理和硼/碳热还原处理,得到碳基复合陶瓷材料。以天然木材和稀土硝酸盐为原料成本低廉,需要的原始材料为木材,形状可控,极大地节省了成本;加工过程简单易控,成本低,可以精确的控制材料的尺寸、形状,实现材料合成与组装一体化,适宜工业化生产。解决现有技术中存在的碳基复合材料的制备方法中导电涂层分布不均匀、工艺繁琐、原料价格昂贵导致其不适于大规模产业化的问题。
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公开(公告)号:CN109627691B
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201811456692.5
申请日:2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅/环氧树脂复合材料的制备方法,该制备方法采用天然木材作为模板,对其进行高温炭化后获得多孔碳材料;再经过高温烧结,SiO气体与碳发生原位碳热还原反应,得到了具有木材网状结构的多孔碳化硅陶瓷骨架。再通过真空浸渍法将环氧树脂、促进剂和固化剂的混合溶液填充到多孔SiC陶瓷骨架中,经过高温固化,获得碳化硅/环氧树脂复合材料。本发明可通过选择不同种类的木材以及组织部位来调控复合材料中的碳化硅的体积分数;另一方面,复合材料中的多孔碳化硅完全继承了木材的多孔网格状结构,在碳化硅/环氧树脂复合材料中可形成连续的导热网络,同时作为承载骨架,可大幅提高复合材料的热导率、摩擦系数和力学性能。
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公开(公告)号:CN109608824A
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201811459217.3
申请日:2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米氮化硅纤维/环氧树脂复合材料的制备方法,该纳米氮化硅纤维/环氧树脂复合材料通过将环氧树脂、环氧树脂固化剂和促进剂的混合材料浸渍至多孔纳米氮化硅纤维框架中,并进行高温固化后制备得到,其中,纳米氮化硅纤维在纳米氮化硅纤维/环氧树脂复合材料的体积分数为20vol%~60vol%。本发明制备的环氧树脂复合材料内部的纳米氮化硅纤维为连续相,可大幅度提高复合材料的高低温力学性能、热导率、抗高温蠕变能力和断裂韧性。此外,本发明的制备工艺简单,易于操作,可通过调控多孔纳米氮化硅材料的气孔率来改变复合材料中纳米氮化硅纤维的含量。
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公开(公告)号:CN109574680A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811459224.3
申请日:2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/591 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种气固反应结合液相烧结法制备多孔氮化硅陶瓷的方法,以纳米炭黑和微米尺度的α-Si3N4为原料,稀土氧化物为烧结助剂,在氮气气氛条件下,首先通过SiO粉末蒸发的气相与纳米碳黑的碳热还原氮化反应获得纳米Si3N4均匀分布的块体,再经过高温液相烧结,制备得到单一β-Si3N4相的多孔氮化硅陶瓷。高温烧结后材料有~1%的线膨胀,基本实现了材料的净尺寸成型;多孔材料的气孔率可通过调控原料配比、成形压力和烧结温度进行大范围调控,且具有较高的强度。当气孔率为50%时,多孔Si3N4材料的抗弯强度高达160.5MPa。本发明获得的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。
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公开(公告)号:CN113929100B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202111173265.8
申请日:2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳化硅气凝胶及基于天然木材的制备方法,属于碳化硅陶瓷制备技术领域,使用的原料天然木材来源丰富、种类繁多、成本低廉、可再生,且具有高的生物相容性和生物可降解性,为实现规模化工业生产奠定了基础。本发明采用的制备工艺简单且可控,通过化学处理、冷冻干燥、高温热解、碳热还原四步工艺就可将天然木材转化为碳化硅气凝胶,为实现规模化工业生产提供了保障。本发明制备的产品碳化硅气凝胶纯度高,且形状、尺寸、孔隙率、密度等参数可控,适合用作催化剂载体、颗粒吸附、液体分离、保温隔热等材料。
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公开(公告)号:CN113929100A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202111173265.8
申请日:2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳化硅气凝胶及基于天然木材的制备方法,属于碳化硅陶瓷制备技术领域,使用的原料天然木材来源丰富、种类繁多、成本低廉、可再生,且具有高的生物相容性和生物可降解性,为实现规模化工业生产奠定了基础。本发明采用的制备工艺简单且可控,通过化学处理、冷冻干燥、高温热解、碳热还原四步工艺就可将天然木材转化为碳化硅气凝胶,为实现规模化工业生产提供了保障。本发明制备的产品碳化硅气凝胶纯度高,且形状、尺寸、孔隙率、密度等参数可控,适合用作催化剂载体、颗粒吸附、液体分离、保温隔热等材料。
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公开(公告)号:CN109503172A
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201811456691.0
申请日:2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/573 , C04B35/64 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,该方法以碳纳米管和微米尺度的SiC为原料,稀土氧化物为烧结助剂,在氩气气氛条件下,首先通过SiO粉末蒸发的气相与碳纳米管的原位气固反应获得纳米SiC均匀分布的块体,再经过高温液相烧结,可获得具有蠕虫状晶粒多孔SiC陶瓷。SiC晶粒的尺寸遗传了碳纳米管的初始形态,因此多孔材料具有较高的强度。本发明的制备工艺简单,易于操作,通过对原料配比调配、烧结温度和保温时间改变能够有效控制孔隙尺寸及孔隙率。本发明获得的多孔碳化硅陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。
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公开(公告)号:CN119903702A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202411994103.4
申请日:2024-12-31
Applicant: 北京卓越电力建设有限公司 , 西安交通大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高温下电缆附件和本体间界面压力的计算方法与相关装置,属于电力电缆技术领域;所述方法获取电缆附件装配前后的环境温度、内径和外径,以及电缆附件绝缘材料的相关参数;通过所述电缆附件装配前后的环境温度、内径和外径,以及电缆附件绝缘材料的相关参数,计算热膨胀效应引起的界面压力变化;获取Gough‑Joule效应系数δ,并结合电缆附件装配前后的环境温度、内径和电缆附件绝缘材料的相关参数,计算Gough‑Joule效应引起的界面压力变化;获取电缆附件装配后室温下的界面压力数值,根据热膨胀效应引起的界面压力变化和Gough‑Joule效应引起的界面压力变化,最终计算得到高温下电缆附件和本体间界面压力。
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