- 专利标题： 单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备
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申请号： CN201680088879.7申请日： 2016-09-30
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公开(公告)号： CN109643730B公开(公告)日： 2022-09-13
- 发明人: H.C.乔治 , J.S.克拉克
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 黄涛; 刘春元
- 国际申请： PCT/US2016/054613 2016.09.30
- 国际公布： WO2018/063269 EN 2018.04.05
- 进入国家日期： 2019-02-28
- 主分类号： H01L29/775
- IPC分类号： H01L29/775 ; H01L29/78 ; H01L29/73
摘要：
本文公开的是单电子晶体管(SET)装置以及相关方法和装置。在一些实施例中，一种SET装置可包括：第一和第二源极/漏极(S/D)电极；多个岛，被布置在第一和第二S/D电极之间；和介电材料，被布置在所述岛的相邻岛之间，布置在第一S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间，并且布置在第二S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间。
公开/授权文献
- CN109643730A 单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备 公开/授权日：2019-04-16
IPC分类:
