- 专利标题: 单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器
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申请号: CN201811524540.4申请日: 2018-12-13
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公开(公告)号: CN109659377B公开(公告)日: 2024-04-16
- 发明人: 臧凯 , 李爽 , 马志洁
- 申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽街道高新技术产业园北区清华信息港科研楼4层410号
- 专利权人: 深圳市灵明光子科技有限公司
- 当前专利权人: 深圳市灵明光子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽街道高新技术产业园北区清华信息港科研楼4层410号
- 代理机构: 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理商 唐致明; 洪铭福
- 主分类号: H01L31/0232
- IPC分类号: H01L31/0232 ; H01L31/107 ; H01L27/144 ; H01L27/146 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器,其中,背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙,入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度,加上侧壁反射墙的反射作用,可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程,从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率;一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法,实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器,由于具有背照式单光子雪崩二极管,有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
公开/授权文献
- CN109659377A 单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器 公开/授权日:2019-04-19