公开(公告)号：CN115881749A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202310035511.6

申请日：2023-01-10

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 吕京颖 ,  康杨森 ,  李爽

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 具有成形结区的单光子雪崩二极管装置。本发明涉及电路。在特定实施例中，本发明提供一种SPAD电路，其包含结区，所述结区的特征是对应于多个填充结构的波形轮廓。所述波形轮廓与电场和击穿电压均匀性相关联。还存在其它实施例。

公开(公告)号：CN115832112A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211725934.2

申请日：2022-12-30

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 徐涛 ,  李爽 ,  吕京颖 ,  康杨森

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0216

摘要： 本申请涉及半导体制作领域，公开了一种SPAD器件及其制作方法，包括：对衬底进行N型掺杂，进行P型掺杂，得到PN结；在接收入射光的衬底表面沉积钝化层；在钝化层的表面沉积透光材料层；在透光材料层的表面形成图形化光刻胶层；以图形化光刻胶层作为掩膜，刻蚀透光材料层，并去除图形化光刻胶层，形成微透镜基块；在微透镜基块上沉积透光材料层，形成微透镜，得到SPAD器件。本申请在衬底接收入射光的衬底表面上沉积钝化层，在钝化层上先制作出微透镜基块，再继续在微透镜基块上沉积透光材料层，形成微透镜。SPAD芯片和微透镜可以在同一个厂家做完，不需再将SPAD芯片运输至专门的微透镜工厂，缩短器件制作时间，降低制作成本。

公开(公告)号：CN111398977A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010281405.2

申请日：2020-04-10

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 臧凯 ,  马志洁 ,  张超 ,  李爽

IPC分类号： G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/4865

摘要： 本发明公开了一种可提高分辨率的成像装置及其成像方法和探测设备。其中，成像装置包括：发射端，包括多个光发射器，用于照射设定区域；处理模块，用于控制各光发射器的工作时序，每次使至少一个光发射器工作；分光模块，用于将光发射器发射的光进行分光处理，使其呈阵列方式分区域照射所述设定区域；接收端，用于接收所述设定区域的目标物体的反射光，并根据曝光区域生成影像；所述处理模块，还用于根据影像和光传播时间获取目标物体的图像和距离。本发明通过发射端在不同时间段内发射光信号，经分光模块调制使光信号以阵列方式分区照射目标物体的设定区域，来使接收端分区曝光实现深度成像和测距，从而提高了图像分辨率。

公开(公告)号：CN109659377A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811524540.4

申请日：2018-12-13

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 臧凯 ,  李爽 ,  马志洁

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法，实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。

公开(公告)号：CN109659377B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201811524540.4

申请日：2018-12-13

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 臧凯 ,  李爽 ,  马志洁

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法，实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。

公开(公告)号：CN117276397A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310108579.2

申请日：2023-01-17

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 徐涛 ,  吕京颖 ,  李爽 ,  康杨森

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/107 ,  H01L21/266 ,  H01L21/265

摘要： 本申请涉及半导体制作领域，公开了一种单光子雪崩二极管器件及其制作方法，包括：在衬底的表面形成依次层叠的第一介质层和图形化第二介质层；利用图形化第二介质层的遮挡，对衬底依次进行N型掺杂和P型掺杂，形成PN结；N型掺杂区域和P型掺杂区域沿衬底的厚度方向分布；腐蚀图形化第二介质层，形成开口变大的图形化第二介质层；利用开口变大的图形化第二介质层，对衬底进行N型轻掺杂，形成保护环；去除第一介质层和图形化第二介质层；进行后续工艺处理，得到单光子雪崩二极管器件。本申请在制作保护环时直接腐蚀图形化第二介质层，使图形化第二介质层的开口变大，进而制作出保护环，不需通过制作光刻胶来制作保护环，降低制作成本。

公开(公告)号：CN116666404A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310914212.X

申请日：2023-07-25

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 徐涛 ,  吕京颖 ,  李爽 ,  康杨森

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L27/02 ,  H01L31/107 ,  H10N97/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/822

摘要： 本申请涉及SPAD领域，公开了一种SPAD阵列及其制作方法，SPAD阵列包括多个SPAD单元组件；每个SPAD单元与临近的SPAD单元通过多个沟槽隔离区隔开；SPAD单元组件包括：SPAD单元和淬灭电阻；在横截面上，SPAD单元呈现规则形状；淬灭电阻设于SPAD单元的一边或多边；淬灭电阻包括由下至上依次层叠的第一多晶硅电阻、隔离介质层和第二多晶硅电阻；第一多晶硅电阻的第一端作为淬灭电阻的一端；第一多晶硅电阻的第二端通过第二金属与第二多晶硅电阻的第一端连接；第二多晶硅电阻的第二端作为淬灭电阻的另一端；淬灭电阻的一端通过第一金属与SPAD单元的阴极电连接或外接高压；淬灭电阻的另一端通过第三金属外接高压或与SPAD单元的阴极电连接。

公开(公告)号：CN116525634A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310566556.6

申请日：2023-05-18

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 徐涛 ,  李爽 ,  吕京颖 ,  康杨森

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请涉及半导体领域，公开了一种背照式SPAD阵列及其制备方法，包括：对衬底的第一表面进行N型掺杂和P型掺杂，形成PN结；在衬底的第二表面生长氧化层，并在氧化层中制作接触孔；在氧化层的表面和接触孔内制备金属层；金属层包括钛层和氮化钛层；在金属层的表面制作钨隔离结构体；钨隔离结构体至少位于接触孔内；在衬底的第二表面一侧生长铝层；对衬底的第二表面一侧进行刻蚀，形成图形化铝层、图形化金属层和入光区；刻蚀截止至金属层与氧化层的接触面，图形化铝层与钨隔离结构体电连接；进行后续工艺处理，得到背照式SPAD阵列。本申请中铝层与接触孔区域的衬底之间被钨隔离结构体隔开，避免铝和衬底发生互溶，从而避免出现铝尖楔。

公开(公告)号：CN113838879B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202111109269.X

申请日：2021-09-22

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 吕京叡 ,  吕京颖 ,  李爽

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  G01S7/481

摘要： 本申请公开一种单光子雪崩二极管装置、图像感测装置及激光雷达系统，其中，单光子雪崩二极管装置包括第一半导体区、第二半导体区、微透镜和反射器阵列，第二半导体区覆盖第一半导体区，微透镜覆盖第二半导体区。第二半导体区包括第一隔离结构、第二隔离结构和吸收区；第二隔离结构在第一方向上相对于第一隔离结构对准；吸收区覆盖第一半导体区。反射器阵列包括第一反射器组和第二反射器组，第一反射器组和第二反射器组均包括多个反射器；第一反射器组位于第一半导体区，且第一反射器组位于第二反射器组和吸收区之间。本申请可有效提升单光子雪崩二极管装置性能，提升SPAD传感器的检测性能。

公开(公告)号：CN109801934A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811524539.1

申请日：2018-12-13

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 臧凯 ,  李爽 ,  马志洁

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了一种图像传感单元及其制作方法、图像传感器，其中，图像传感单元设置有陷光结构，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在图像传感单元中的有效光程，从而提高了光在图像传感单元中的吸收效率，而不需增加器件厚度；另外，一种图像传感单元的制作方法，实现了图像传感单元的制作，其中，图像传感单元具有第一陷光结构和第二陷光结构，可以提高图像传感单元的光吸收效率。