发明授权
- 专利标题： 栅电极结构中的负电容匹配
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申请号： CN201811198353.1申请日： 2018-10-15
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公开(公告)号： CN109671629B公开(公告)日： 2022-04-22
- 发明人: R·格拉塔奇 , S·本特利 , P·H·苏瓦纳 , Z·克里沃卡皮克
- 申请人： 格芯美国公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 格芯美国公司
- 当前专利权人： 格芯美国公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 杨晓光; 于静
- 优先权： 15/784500 20171016 US
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L29/423 ; H01L29/51 ; H01L29/78 ; H01L29/788 ; H01L27/06
摘要：
本发明提供了一种栅电极结构中的负电容匹配。可以提供晶体管元件的栅电极结构作为负电容器部分和浮置电极部分的串联连接。当形成负电容器部分时，可以基于两种不同的机制或制造工艺调整负电容的值，从而提供正浮置栅电极部分和负电容器部分的优异匹配。例如，可以基于独立的制造工艺调整铁电材料的层厚度和电介质材料的有效电容区域。
公开/授权文献
- CN109671629A 栅电极结构中的负电容匹配 公开/授权日：2019-04-23
IPC分类:
