发明授权
- 专利标题: 电容的制作方法
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申请号: CN201710991684.X申请日: 2017-10-23
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公开(公告)号: CN109698274B公开(公告)日: 2021-05-25
- 发明人: 张峰溢 , 李甫哲
- 申请人: 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市;
- 专利权人: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市;
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号: H01L49/02
- IPC分类号: H01L49/02 ; H01L27/108
摘要:
本发明公开一种电容的制作方法,其步骤包含在一牺牲层中形成电容凹槽,其中该电容凹槽具有波浪状的侧壁轮廓、在该电容凹槽的侧壁上形成一下电极层、在该电容凹槽中填满一支撑层、移除该牺牲层而形成多个由该下电极层以及该支撑层所构成的电容柱、在该些电容柱上形成一电容介电层、以及在该电容介质层上形成一上电极层。
公开/授权文献
- CN109698274A 电容的制作方法 公开/授权日:2019-04-30
IPC分类: