发明公开
- 专利标题： 一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法
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申请号： CN201811483201.6申请日： 2018-12-05
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公开(公告)号： CN109743054A公开(公告)日： 2019-05-10
- 发明人: 谭国俊 , 张经纬 , 耿程飞 , 叶宗彬
- 申请人： 徐州中矿大传动与自动化有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市高新区第二工业园珠江路7号
- 专利权人： 徐州中矿大传动与自动化有限公司
- 当前专利权人： 徐州中矿大传动与自动化有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市高新区第二工业园珠江路7号
- 代理机构： 南京众联专利代理有限公司
- 代理商 杜静静
- 主分类号： H03K19/003
- IPC分类号： H03K19/003 ; H03K19/0175 ; H03K19/0185
摘要：
本发明提供一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法，包括：逻辑电路，推挽放大器，栅压切换电路以及栅压检测电路。当发生二类短路时，栅极电压将会发生突变，形成较高的电压尖峰，本发明通过对栅极电压进行检测，当栅极电压上升到一定阈值时，将栅极驱动电压切换为较低值，根据栅极电压与短路电流呈正关系特性，其短路电流将会减小，从而减小短路对SiC MOSFET的冲击，提高器件的短路耐受能力。
公开/授权文献
- CN109743054B 一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法 公开/授权日：2024-03-19