一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统及诊断方法

    公开(公告)号:CN109061431B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201810957220.1

    申请日:2018-08-22

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明提供一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统,SiC MOSFET栅极故障诊断系统包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本发明能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。

    一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法

    公开(公告)号:CN110635792A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201911047961.7

    申请日:2019-10-30

    IPC分类号: H03K17/0812 H03K17/687

    摘要: 本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法,包括:逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元,本发明采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流,从而降低短路故障对器件的冲击,减小了短路损耗,增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时,漏极电压VDS将不会下降至导通压降,本发明通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压,使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级;当SiC MOSFET发生二类短路时,栅极电压VG将会发生突变,形成电压尖峰,本发明通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压,可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级;此外本发明电路不影响正常开通过程,确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。

    一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法

    公开(公告)号:CN109743054A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201811483201.6

    申请日:2018-12-05

    摘要: 本发明提供一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑电路,推挽放大器,栅压切换电路以及栅压检测电路。当发生二类短路时,栅极电压将会发生突变,形成较高的电压尖峰,本发明通过对栅极电压进行检测,当栅极电压上升到一定阈值时,将栅极驱动电压切换为较低值,根据栅极电压与短路电流呈正关系特性,其短路电流将会减小,从而减小短路对SiC MOSFET的冲击,提高器件的短路耐受能力。

    一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法

    公开(公告)号:CN109495102A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811483199.2

    申请日:2018-12-05

    摘要: 本发明提供一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑控制单元,驱动单元,短路保护单元以及漏极电压检测单元。本发明通过判断漏极电压是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压,当发生一类短路时,栅极将被钳位在较低的驱动电压,依据功率器件的输出特性,短路电流将被抑制,从而降低了短路故障对器件的冲击,减小了短路损耗,增大了短路耐受时间。此外本发明电路不影响正常开通过程,确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。

    电力电子开关器件结温在线监测装置、检测电路及测试方法

    公开(公告)号:CN106771951A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611267907.X

    申请日:2016-12-31

    IPC分类号: G01R31/26

    CPC分类号: G01R31/2617 G01R31/2619

    摘要: 本发明涉及一种结温在线监测装置,所述在线监测装置包括主控制单元、待测电力电子器件、电流检测单元、Vce(on)检测单元以及AD采集单元,其中主控制单元包括器件驱动单元和结温计算单元电力电子开关器件,电流检测单元用于采集器件导通状态下流过器件的电流Ic,Vce(on)检测单元用于采集IGBT导通状态下的某一额定时间段的导通压降Vce,通过Vce(on)检测单元内的模拟电路得出等效导通压降信号Vce(on,AD采集单元完成模拟电流和电压到数字信号的转换,器件驱动单元,用于提供待测器件的门极的驱动信号Vg和Vce(on)检测单元开关信号Vp(mos),IGBT驱动单元采用数字驱动方式,在IGBT驱动单元中调整IGBT模块门极的开关控制信号Vg与Vce(on)检测单元开关信号Vp(mos)之间的电平变化时序关系。

    一种大功率SIC MOSFET模块键合线健康状态检测方法及装置

    公开(公告)号:CN111781482A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010526758.4

    申请日:2020-06-10

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种大功率SIC MOSFET模块键合线健康状态检测方法及装置,该方法包括建立SIC MOSFET模块Vpeak,sS健康参考值基准数据库;在关断瞬态,同时获取SIC MOSFET模块关断暂态漏极电流ID和SIC MOSFET模块辅助源极s、功率源极S之间的感应电动势VsS,并测量出该感应电动势VsS的峰值Vpeak,sS;将健康参考值Vpeak,sS健康与峰值Vpeak,sS进行比较,计算出偏差值;根据偏差值,判断SIC MOSFET模块键合线是否存在脱落故障。该方法实现了SIC MOSFET模块在线健康状态评估,能够有效避免因为键合线老化带来的安全问题,实现设备的可预测性维护。

    提升系统安全停车控制的方法及装置

    公开(公告)号:CN111039132A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911353159.0

    申请日:2019-12-25

    摘要: 本发明提供一种用于控制提升系统停车的方法和装置。所述方法包括:接收针对所述提升系统的停车命令;根据所述停车命令对所述提升系统的驱动电机进行悬停控制,其中,所述悬停控制使得所述驱动电机输出与所述提升系统的提升负载相平衡的力矩,以使所述驱动电机在零转速或接近于零转速的状态下工作;在所述悬停控制下对所述提升系统的液压制动系统进行施闸控制;监测所述液压制动系统在所述施闸控制过程中的针对预定参数的工作数据;当所述工作数据指示所述施闸控制过程有效时,使所述驱动电机停止工作,以实现对所述提升系统的安全停车。

    一种IGBT短路故障快速保护方法及电路

    公开(公告)号:CN110350484A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910556700.1

    申请日:2019-06-25

    IPC分类号: H02H7/12

    摘要: 本发明提供一种IGBT短路故障快速保护方法及电路,包括短路检测电路,门逻辑电路和放大电路。利用发生短路时与正常开通状态相比,门极电压与集电极电压不同的变化状态进行短路故障检测,通过逻辑电路控制推挽放大电路,及时将IGBT关断。本发明能够提高短路故障检测速率,所需的短路检测器件及检测电路简单,容易实现。

    一种大功率NPC三电平逆变器功率模块电流在线检测方法

    公开(公告)号:CN109444621B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201811163571.1

    申请日:2018-10-01

    IPC分类号: G01R31/52 G01R19/25

    摘要: 本发明提供一种大功率NPC三电平逆变器功率模块电流在线检测方法,包括以下步骤:步骤一,检测每相正、负母线与负载电流,以及正、负母线电流变化速率;步骤二,统计单相电路存在的电流路径;步骤三,根据单相负载电流方向,建立单相拓扑中正、负母线和负载电流与4个IGBT模块和2个钳位二极管模块电流的关系模型;步骤四,将短路故障进行分类并统计单相电路可能发生的短路电流路径;步骤五,检测短路电流,根据检测电流的突变特性,建立短路电流路径识别规则;该检测方法简单,能够精确得出每个模块的开关瞬态电流,同时在逆变器发生短路故障时,检测系统能够迅速识别故障线路,提高短路故障诊断效率。