Invention Grant
- Patent Title: 存储器单元组件的阈值电压变差的补偿
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Application No.: CN201780056845.4Application Date: 2017-08-25
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Publication No.: CN109791782BPublication Date: 2020-06-16
- Inventor: 阿斯温·提鲁文加达姆 , 埃尔南·A·卡斯特罗
- Applicant: 美光科技公司
- Applicant Address: 美国爱达荷州
- Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee Address: 美国爱达荷州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 王龙
- Priority: 15/267,807 2016.09.16 US
- International Application: PCT/US2017/048666 2017.08.25
- International Announcement: WO2018/052688 EN 2018.03.22
- Date entered country: 2019-03-15
- Main IPC: G11C11/22
- IPC: G11C11/22
Abstract:
本发明是针对存储器单元组件的阈值电压变差的补偿。描述用于操作铁电存储器单元的方法、系统和装置。在读取存储器单元之前，可以将所述存储器单元的存取线上的电压初始化为与开关组件的阈值电压相关联的值，所述开关组件与所述存储器单元成电子连通。所述电压可以通过将所述存取线上的已存在电压减小到所述值来初始化。可以使用所述开关组件或额外下拉装置或这两者来减小所述存取线的所述电压。在所述存取线已初始化为所述值之后，可以触发读取操作。
Public/Granted literature
- CN109791782A 存储器单元组件的阈值电压变差的补偿 Public/Granted day:2019-05-21
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