本发明公布了一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)制备MAX相Cr2GaC‑Ga粉末；2)将MAX相Cr2GaC‑Ga粉末置于球磨机中球磨，得到球磨后的粉体；3)将球磨后的粉体冷压成薄片，并置于‑60℃～28℃的温度条件下培养1min～1000min，自发生长得到不同尺寸的Ga晶须；4)在空气或氧化气氛中自然或加速氧化Ga晶须后，加热到30℃～1900℃去除Ga晶须内部金属Ga，根据氧化时长获得不同壁厚的一维Ga2O3纳米管。该制备方法具有工艺简单、密度高、速度快、成本低、环保等优点，解决了目前一维Ga2O3纳米材料制备领域中存在的工艺复杂、制备时间长、产率低等问题。