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公开(公告)号：CN114478013A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210047770.6
申请日：2022-01-17
申请人： 东南大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/622 , C04B41/00
摘要： 本发明公开了一种抑制MAX相中A元素晶须生长的方法，利用氧化膜形成元素A’，对MAX相中的A位进行固溶处理，得到MAX相固溶体；MAX相固溶体经损伤处理后在MAX相表面形成氧化膜。含有A’元素的MAX相在受到机械摩擦损伤破坏后，A’原子易于在MAX相表面形成致密氧化膜来充当保护层，阻碍A原子向MAX相表面扩散，切断A晶须生长所需的物质来源；本发明适用于所有MAX相的A晶须抑制，工艺简单，可靠性高，且能从根本上抑制MAX相的晶须生长，同时还可提升MAX相的力学性能。
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公开(公告)号：CN109811399B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910071310.5
申请日：2019-01-25
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公布了一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)制备MAX相Cr2GaC‑Ga粉末；2)将MAX相Cr2GaC‑Ga粉末置于球磨机中球磨，得到球磨后的粉体；3)将球磨后的粉体冷压成薄片，并置于‑60℃～28℃的温度条件下培养1min～1000min，自发生长得到不同尺寸的Ga晶须；4)在空气或氧化气氛中自然或加速氧化Ga晶须后，加热到30℃～1900℃去除Ga晶须内部金属Ga，根据氧化时长获得不同壁厚的一维Ga2O3纳米管。该制备方法具有工艺简单、密度高、速度快、成本低、环保等优点，解决了目前一维Ga2O3纳米材料制备领域中存在的工艺复杂、制备时间长、产率低等问题。
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公开(公告)号：CN108611500B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810677352.9
申请日：2018-06-27
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种低熔点金属提纯方法，所述方法为：①将MAX相粉末与含有A金属组元的被提纯合金按比例混合，并于球磨机中球磨；②将上述经过球磨的粉体冷压成薄片；③将薄片置于热处理炉中，在接近A金属熔点TA温度下热处理1～300min，然后自然降温；④在室温下放置1～30天，待试样表面生长出A金属晶须；⑤收集样品表面的A金属晶须。本发明的提纯方法具有工艺简单、成本低、环保、提纯所得金属纯度高等优点，解决了目前金属提纯技术中存在的工艺复杂、成本高、环境污染等问题。
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公开(公告)号：CN116536746A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310351032.5
申请日：2023-04-04
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种纳米ZnO晶须的制备方法，包括以下步骤：(1)将MAX相Ti2ZnC粉体进行球磨，得到球磨后的粉体；(2)将球磨后的Ti2ZnC粉体冷压成型；(3)将成型后的Ti2ZnC进行加热培养，得到纳米ZnO晶须。本发明的方法绿色环保，所得纳米ZnO晶须的数量可控、纯度高，且纳米ZnO晶须生长在导电基体MAX相表面，在光电器件、光催化等领域具有巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN114480902B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210047780.X
申请日：2022-01-17
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种抑制MAX相中金属晶须生长的方法，包括以下步骤：(1)将MAX相与活性A原子的捕获剂混合；(2)将混合后的MAX相与活性A原子的捕获剂通过冷压成型为生胚；(3)将生胚在保护气氛下烧结成样品。本发明通过合金化的方法，金属相通过固溶捕获从MAX相中脱离的活性A原子，切断晶须生长的原子来源，从而有效抑制A元素晶须生长；对烧结后的样品做打磨处理以模拟服役过程中的摩擦、碰撞情况，将处理打磨后的MAX相/金属相复合材料置于高/低温、高/低湿度的环境下，均无金属晶须生长，且适用范围广，具有工艺简单、绿色、高效、低成本的优点。
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公开(公告)号：CN114478013B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210047770.6
申请日：2022-01-17
申请人： 东南大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/622 , C04B41/00
摘要： 本发明公开了一种抑制MAX相中A元素晶须生长的方法，利用氧化膜形成元素A’，对MAX相中的A位进行固溶处理，得到MAX相固溶体；MAX相固溶体经损伤处理后在MAX相表面形成氧化膜。含有A’元素的MAX相在受到机械摩擦损伤破坏后，A’原子易于在MAX相表面形成致密氧化膜来充当保护层，阻碍A原子向MAX相表面扩散，切断A晶须生长所需的物质来源；本发明适用于所有MAX相的A晶须抑制，工艺简单，可靠性高，且能从根本上抑制MAX相的晶须生长，同时还可提升MAX相的力学性能。
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公开(公告)号：CN108611500A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810677352.9
申请日：2018-06-27
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种低熔点金属提纯方法，所述方法为：①将MAX相粉末与含有A金属组元的被提纯合金按比例混合，并于球磨机中球磨；②将上述经过球磨的粉体冷压成薄片；③将薄片置于热处理炉中，在接近A金属熔点TA温度下热处理1～300min，然后自然降温；④在室温下放置1～30天，待试样表面生长出A金属晶须；⑤收集样品表面的A金属晶须。本发明的提纯方法具有工艺简单、成本低、环保、提纯所得金属纯度高等优点，解决了目前金属提纯技术中存在的工艺复杂、成本高、环境污染等问题。
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公开(公告)号：CN114480902A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210047780.X
申请日：2022-01-17
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种抑制MAX相中金属晶须生长的方法，包括以下步骤：(1)将MAX相与活性A原子的捕获剂混合；(2)将混合后的MAX相与活性A原子的捕获剂通过冷压成型为生胚；(3)将生胚在保护气氛下烧结成样品。本发明通过合金化的方法，金属相通过固溶捕获从MAX相中脱离的活性A原子，切断晶须生长的原子来源，从而有效抑制A元素晶须生长；对烧结后的样品做打磨处理以模拟服役过程中的摩擦、碰撞情况，将处理打磨后的MAX相/金属相复合材料置于高/低温、高/低湿度的环境下，均无金属晶须生长，且适用范围广，具有工艺简单、绿色、高效、低成本的优点。
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公开(公告)号：CN109811399A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910071310.5
申请日：2019-01-25
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公布了一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)制备MAX相Cr2GaC-Ga粉末；2)将MAX相Cr2GaC-Ga粉末置于球磨机中球磨，得到球磨后的粉体；3)将球磨后的粉体冷压成薄片，并置于-60℃～28℃的温度条件下培养1min～1000min，自发生长得到不同尺寸的Ga晶须；4)在空气或氧化气氛中自然或加速氧化Ga晶须后，加热到30℃～1900℃去除Ga晶须内部金属Ga，根据氧化时长获得不同壁厚的一维Ga2O3纳米管。该制备方法具有工艺简单、密度高、速度快、成本低、环保等优点，解决了目前一维Ga2O3纳米材料制备领域中存在的工艺复杂、制备时间长、产率低等问题。
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