提供用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和装置。该方法包括：将SiC粉料装入第一石墨坩埚中，在第一石墨坩埚上倒置安装第二石墨坩埚；将安装好的两个石墨坩埚放入加热装置中，将加热装置抽真空并升温至预设温度；其中，第一石墨坩埚位于相对高温区，第二石墨坩埚位于相对低温区，SiC粉料升华并被输运至第二石墨坩埚中而结晶，以获得结晶的SiC原料，该原料将被用于生长SiC晶体。该装置包括第一、第二石墨坩埚以及加热装置，且自第二石墨坩埚底部向上设置隔离件，该隔离件与第二石墨坩埚的侧壁间隔预定距离。该方法和装置能够降低由此原料制得的SiC晶体中的杂质含量，减少微观包裹物，降低位错密度，提供中后期SiC晶体的生长速率和产率。