发明公开
- 专利标题: 一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法
- 专利标题(英): Vertical-cavity surface emitting laser chip and manufacturing method
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申请号: CN201910234625.7申请日: 2019-03-26
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公开(公告)号: CN109873296A公开(公告)日: 2019-06-11
- 发明人: 刘凯 , 罗俊伟 , 位祺 , 黄永清 , 段晓峰 , 王琦 , 任晓敏 , 蔡世伟
- 申请人: 北京邮电大学
- 申请人地址: 北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
- 专利权人: 北京邮电大学
- 当前专利权人: 北京邮电大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 王庆龙; 苗晓静
- 优先权: 201910084399.9 2019.01.29 CN
- 主分类号: H01S5/183
- IPC分类号: H01S5/183 ; H01S5/343
摘要:
本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法,采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜,并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数,第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜,可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率,同时可以减少相应的材料应力和串联电阻,在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
公开/授权文献
- CN109873296B 一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法 公开/授权日:2020-12-01