本发明公开了一种完全非对称的亚阈值单端9管存储单元，包括位线、反相位线、读字线、写字线、P‑N‑N型反相器、P‑P‑N型反相器和读写选择电路，P‑N‑N型反相器包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管为P型MOS管，第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管，P‑P‑N型反相器包括第四MOS管、第五MOS管和第六NMOS管，第四MOS管和第五MOS管均为P型MOS管，第六MOS管为N型MOS管，读写选择电路包括第七NMOS管、第八MOS管和第九MOS管，第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管均为N型MOS管；优点是具有较高的读写噪声容限，不容易受到噪声干扰，稳定性较高。