公开(公告)号：CN111211769B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202010016900.0

申请日：2020-01-08

申请人： 中国人民武装警察部队海警学院

发明人： 温亮 ,  孟春宁 ,  李伟春 ,  朱连利 ,  刘玉 ,  莫微

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K19/017

摘要： 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器和数据触发器，锁存器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一传输门、第二传输门、第一正反馈环、第二正反馈环和第一双输入反相器，第一正反馈环包括第一存储节点、第二存储节点、第一三输入反相器和第一时控反相器，第二正反馈环包括第三存储节点、第四存储节点、第二三输入反相器和第二时控反相器，数据触发器包括主锁存器和从锁存器；优点是任何一个存储节点发生单粒子翻转事件时，待事件结束后可以恢复原来存储的数据，并且任何两个不同电势的存储节点发生单粒子翻转事件时，同样也可以恢复原来存储的数据，且时序开销较小。

公开(公告)号：CN111211769A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010016900.0

申请日：2020-01-08

申请人： 中国人民武装警察部队海警学院

发明人： 温亮 ,  孟春宁 ,  李伟春 ,  朱连利 ,  刘玉 ,  莫微

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K19/017

摘要： 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器和数据触发器，锁存器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一传输门、第二传输门、第一正反馈环、第二正反馈环和第一双输入反相器，第一正反馈环包括第一存储节点、第二存储节点、第一三输入反相器和第一时控反相器，第二正反馈环包括第三存储节点、第四存储节点、第二三输入反相器和第二时控反相器，数据触发器包括主锁存器和从锁存器；优点是任何一个存储节点发生单粒子翻转事件时，待事件结束后可以恢复原来存储的数据，并且任何两个不同电势的存储节点发生单粒子翻转事件时，同样也可以恢复原来存储的数据，且时序开销较小。

公开(公告)号：CN109920459A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910024883.2

申请日：2019-01-10

申请人： 中国人民武装警察部队海警学院

发明人： 温亮 ,  张静 ,  莫微 ,  陈宣华 ,  林淑玲 ,  韩建民 ,  陶建平

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/413

摘要： 本发明公开了一种完全非对称的亚阈值单端9管存储单元，包括位线、反相位线、读字线、写字线、P-N-N型反相器、P-P-N型反相器和读写选择电路，P-N-N型反相器包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管为P型MOS管，第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管，P-P-N型反相器包括第四MOS管、第五MOS管和第六NMOS管，第四MOS管和第五MOS管均为P型MOS管，第六MOS管为N型MOS管，读写选择电路包括第七NMOS管、第八MOS管和第九MOS管，第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管均为N型MOS管；优点是具有较高的读写噪声容限，不容易受到噪声干扰，稳定性较高。

公开(公告)号：CN109920459B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910024883.2

申请日：2019-01-10

申请人： 中国人民武装警察部队海警学院

发明人： 温亮 ,  张静 ,  莫微 ,  陈宣华 ,  林淑玲 ,  韩建民 ,  陶建平

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/413

摘要： 本发明公开了一种完全非对称的亚阈值单端9管存储单元，包括位线、反相位线、读字线、写字线、P‑N‑N型反相器、P‑P‑N型反相器和读写选择电路，P‑N‑N型反相器包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管为P型MOS管，第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管，P‑P‑N型反相器包括第四MOS管、第五MOS管和第六NMOS管，第四MOS管和第五MOS管均为P型MOS管，第六MOS管为N型MOS管，读写选择电路包括第七NMOS管、第八MOS管和第九MOS管，第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管均为N型MOS管；优点是具有较高的读写噪声容限，不容易受到噪声干扰，稳定性较高。