发明授权
- 专利标题: 高导热DFN封装器件的制备方法
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申请号: CN201910131685.6申请日: 2019-02-22
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公开(公告)号: CN109950158B公开(公告)日: 2020-11-17
- 发明人: 马磊 , 党鹏 , 杨光 , 彭小虎 , 王新刚 , 庞朋涛 , 任斌 , 王妙妙
- 申请人: 西安航思半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 王健
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L23/367 ; C08L63/00 ; C08L61/06 ; C08L9/02 ; C08L71/02 ; C08L1/14 ; C08L23/30 ; C08K9/06 ; C08K3/36 ; C08K3/24 ; C08K3/38 ; C08K5/098 ; H01B3/40 ; C08G59/42 ; C08G59/50
摘要:
本发明公开了一种高导热DFN封装器件的制备方法,包括以下步骤:S1.先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀,进行表面处理;S2.再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂,混合均匀;S3.将混合物于90~110℃混炼3~5分钟,产物冷却后粉碎过筛;该方法制备得到的高导热DFN封装器件内部气孔的发生率低,有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题。
公开/授权文献
- CN109950158A 高导热DFN封装器件的制备方法 公开/授权日:2019-06-28
IPC分类: