集成电路封装器件的加工装置

    公开(公告)号:CN110867401B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN201911181316.4

    申请日:2019-11-27

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明公开一种集成电路封装器件的加工装置,包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构,所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧,所述打标器设置于第二框架上方,所述打磨机构安装于第三框架上方,所述打磨机构包括顶板和活动安装于顶板下方的打磨头,所述顶板一侧与支撑板固定连接,此顶板的另一侧设置有一挡板,所述挡板上开有一风嘴,所述第三框架下方设置有一吸尘仓,此吸尘仓通过一第一风管与所述风嘴贯通连接。本发明实现了对移动至第三框架上的半导体器件的打磨,还可以将打磨过程中产生的碎屑吸收至吸尘仓的内部,避免碎屑造成空气污染影响工作人员身体健康,同时还可以避免后期清洁人员清理困难。

    电子产品用DFN半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN112701054B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202011426172.7

    申请日:2019-02-22

    摘要: 本发明公开了一种电子产品用半导体器件的制造方法,其半导体器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽,从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部;包括以下步骤:先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀;再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。该方法制备得到的半导体器件内部气孔的发生率低,且改善半导体器件的散热效果。

    高可靠性QFN封装器件结构

    公开(公告)号:CN113451227A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110620909.7

    申请日:2019-03-06

    摘要: 本发明公开了一种高可靠性QFN封装器件结构,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述分隔槽槽壁上开有若干个延伸至散热焊盘内的T形槽,所述导热绝缘条上设有填充于T形槽中的T形部;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明高可靠性QFN封装器件结构增强了环氧绝缘体的整体力学性能,兼具有优秀的耐热性能。

    芯片封装结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112435975A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011428825.5

    申请日:2019-02-22

    IPC分类号: H01L23/367 H01L23/29

    摘要: 本发明公开了一种芯片封装结构,其散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽,从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部,所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层,所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、硅微粉、聚乙二醇单辛基苯基醚、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明芯片封装结构芯片封装结构散热效果、力学性能优异,封装结构稳定可靠。

    DFN封装器件用的可靠性测试设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118011053A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202211402332.3

    申请日:2022-11-10

    IPC分类号: G01R1/04

    摘要: 本发明公开一种DFN封装器件用的可靠性测试设备,其竖直设置的第一支撑板表面具有若干个第一转轴柱,该第一转轴柱在竖直方向上间隔分布,此安装板通过第一通孔套装在第一转轴柱上,连接杆沿长度方向设置有若干个第二通孔,安装板的表面设置有一第二转轴柱,该第二转轴柱与相应的第二通孔套装连接,第二安装架的第二支撑板平行于第一支撑板设置,支撑架沿竖直方向间隔安装在第二支撑板表面,第二置物板固定安装在支撑架的顶部,电动伸缩杆的一端与连接杆中部转动连接,其另一端安装在腔体内壁上。本发明可以实现置物板的收折,便于对腔体内部器件进行维护、检修,还可以实现置物板的打开,将腔体分割成多层,对多组芯片进行测试,提高了空间利用率。

    用于DFN半导体器件的老化测试装置

    公开(公告)号:CN118011052A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202211402316.4

    申请日:2022-11-10

    摘要: 本发明公开一种用于DFN半导体器件的老化测试装置,其具有密封板的保温门分别设置在两个腔体的开口侧,密封板进一步包括第一密封板、第二密封板,第一密封板固定安装在保温门内侧,第二密封板叠置在第一密封板表面,此保温门一端与箱体转动连接,另一端设置有一扣锁装置,扣锁装置进一步包括底板、滚轴以及插销,具有凹槽的底板安装在保温门的侧壁上,凹槽可供滚轴嵌入安装,横杆设置在滚轴相背于凹槽的一侧,一连接柱的一端与插销固定连接,另一端与横杆转动连接,一固定安装在箱体表面的插板具有一供插销嵌入的插孔。本发明既改善了保温门的密封性,又提高了保温门与腔体闭合的稳定性,从而保证了腔体内部温度的稳定性,还提高了人员操作的便捷性。

    耐热型QFN封装半导体器件

    公开(公告)号:CN113451226B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202110620907.8

    申请日:2019-03-06

    摘要: 本发明公开了一种耐热型QFN封装半导体器件,散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽,所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm,所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体,所述分隔槽中填充有导热绝缘条;环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明耐热型QFN封装半导体器件增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性和兼具有优秀的耐热性能。

    便于散热的DFN封装器件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112563226B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202011463072.1

    申请日:2019-02-22

    IPC分类号: H01L23/367 H01L23/29

    摘要: 本发明公开了一种便于散热的DFN封装器件,其环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂80~100份、线型酚醛树脂50~70份、液体丁腈橡胶12~18份、焦碳酸二乙酯3~8份、硅微粉65~90份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1~1.5份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2~5份、醋酸丁酸纤维素2~6份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺0.3~2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚0.5~5份、脱模剂1~5份、阻燃剂10~25份;该便于散热的DFN封装器件散热效果、力学性能优异,封装结构稳定可靠,具有广阔的应用前景。

    QFN封装半导体器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113451235A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110620908.2

    申请日:2019-03-06

    摘要: 本发明公开了一种QFN封装半导体器,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽,所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm,所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性。